HB56HW164DB Series,_集成电路资料查询网

hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
14
写 循环
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
写 command 建制 时间 t
WCS
0—0—ns14
写 command 支撑 时间 t
WCH
10 — 13 — ns
写 command 脉冲波 宽度 t
WP
10 — 10 — ns
写 command 至
RAS
含铅的 时间 t
RWL
10 — 13 — ns
写 command 至
CAS
含铅的 时间 t
CWL
10 — 13 — ns
数据-在 建制 时间 t
DS
0—0—ns15
数据-在 支撑 时间 t
DH
10 — 13 — ns 15
读-modify-写 循环
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
读-modify-写 循环 时间 t
RWC
136 — 161 — ns
RAS
至
我们
延迟 时间 t
RWD
79 — 92 — ns 14
CAS
至
我们
延迟 时间 t
CWD
34 — 40 — ns 14
column 地址 至
我们
延迟 时间 t
AWD
49 — 57 — ns 14
OE
支撑 时间
我们
t
OEH
15 — 18 — ns
refresh 循环
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
CAS
建制 时间 (cbr refresh 循环) t
CSR
5—5—ns
CAS
支撑 时间 (cbr refresh 循环) t
CHR
10 — 10 — ns
RAS
precharge 至
CAS
支撑 时间 t
RPC
0—0—ns

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hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列 14 写循环 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释写 command 建制时间 t WCS 0—0—ns14 写 command 支撑时间 t WCH 10 — 13 — ns 写 command 脉冲波宽度 t WP 10 — 10 — ns 写 command 至 RAS 含铅的时间 t RWL 10 — 13 — ns 写 command 至 CAS 含铅的时间 t CWL 10 — 13 — ns 数据-在建制时间 t DS 0—0—ns15 数据-在支撑时间 t DH 10 — 13 — ns 15 读-modify-写循环 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释读-modify-写循环时间 t RWC 136 — 161 — ns RAS 至我们延迟时间 t RWD 79 — 92 — ns 14 CAS 至我们延迟时间 t CWD 34 — 40 — ns 14 column 地址至我们延迟时间 t AWD 49 — 57 — ns 14 OE 支撑时间我们 t OEH 15 — 18 — ns refresh 循环 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释 CAS 建制时间 (cbr refresh 循环) t CSR 5—5—ns CAS 支撑时间 (cbr refresh 循环) t CHR 10 — 10 — ns RAS precharge 至 CAS 支撑时间 t RPC 0—0—ns

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