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idt71256s/l
cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 军队, 商业的, 和 工业的 温度 范围
*includes scope 和 jig capacitances
图示 2. 交流 测试 加载
(为 t
CLZ
, t
OLZ
, t
chz,
t
OHZ
, t
OW
, 和 t
WHZ
)
图示 1. 交流 测试 加载
Input pulseLevels
输入 上升/下降 时间
Input 定时ReferenceLevels
输出 reference levels
交流 test load
地 至 3.0v
5ns
1.5v
1.5v
看 计算数量 1 和 2
2946 tbl09
2946 drw 04
480
Ω
255
Ω
30pF*
数据
输出
5V
,
2946 drw 05
480
Ω
255
Ω
5pF*
数据
输出
5V
,
注释:
1. T
一个
= +25°c.
2. t
RC
= 读 循环 时间.
3. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
标识 参数 测试 情况
IDT71256S IDT71256L
Unit最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
|I
LI
|
输入 泄漏 电流
V
CC
= 最大值.,
V
在
=
地 至V
CC
mil.
com"l &放大;ind.
____
____
____
____
10
5
____
____
____
____
5
2
µA
|I
LO
| Output leakageCurrent V
CC
= 最大值.,
CS
= v
IH
,
V
输出
= 地 至 v
CC
mil.
com"l &放大;ind.
____
____
____
____
10
5
____
____
____
____
5
2
µA
V
OL
Output 低 voltage
I
OL
= 8ma, v
CC
= 最小值
____ ____
0.4
____ ____
0.4
V
I
OL
= 10ma, v
CC
= 最小值
____ ____
0.5
____ ____
0.5
V
OH
Output high voltage I
OH
= -4ma, v
CC
= 最小值 2.4
____ ____
2.4
____ ____
V
2946 tbl 10
典型值
(1)
V
CC
@
最大值
V
CC
@
标识 参数 测试 情况 最小值 2.0v 3.0v 2.0v 3.0v Unit
V
DR
V
CC
for 数据 retention
____
2.0
____ ____ ____ ____
V
I
CCDR
数据 retention current mil.
com'l.&放大; ind.
____
____
____
____
____
____
500
120
800
200
µ
一个
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
Retention 时间
CS
>
V
HC
0
____ ____ ____ ____
ns
t
R
(3)
运作 recovery 时间
t
RC
(2)
____ ____ ____ ____
ns
2946 tbl11
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