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资料编号:1095114
 
资料名称:IDT71V3576
 
文件大小: 525878K
   
说明
 
介绍:
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
 
 


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6.42
2
idt71v3576, idt71v3578, 128k x 36, 256k x 18, 3.3v 同步的 srams 和
3.3v i/o, pipelined 输出, burst 计数器, 单独的 循环 deselect 商业的 和 工业的 温度 范围


便条:
1. 所有 同步的 输入 必须 满足 指定 建制 和 支撑 时间 和 遵守 至 clk.
标识 管脚 函数 i/o Active Description
一个
0
-一个
17
地址 输入 I n/一个 同步的 地址 输入. 这 地址 寄存器 是 triggered 用 一个 结合体 的 这
rising 边缘 的 clk 和
ADSC
低 或者
ADSP
低 和
CE
低.
ADSC
地址 状态
(cacheController)
I 同步的 地址 状态从 cache控制.
ADSC
是 一个 起作用的低 input 那 是
使用 至 加载 这 地址 寄存器 和 新 地址.
ADSP
地址 状态
(processor)
I 同步的 地址 状态 从 处理器.
ADSP
是 一个 起作用的低 在put 那 是使用d
加载 这 地址 寄存器 和 新 地址.
ADSP
是 gated
CE
.
ADV
burst 地址
进步
I 同步的 地址 进步.
ADV
是 一个 active低 input 那 是美国edadvance
内部的 burst 计数器, controlling burst 进入 之后 这 最初的 地址 是 承载. 当 这
输入 是 高 这 burst 计数器 是 不 incremented; 那 是, 那里 是 非 地址 进步.
BWE
字节 写 使能 I 同步的 字节 写 使能 门 这 字节 写 输入
BW
1
-
BW
4
. 如果
BWE
是 低 在 这
rising 边缘 的 clk 然后
BW
x 输入 是 passed 至 这 next 平台 在 这 电路. 如果
BWE
高 然后 这 字节 写 输入 是 blocked 和 仅有的
GW
能 initiate 一个 写 循环.
BW
1
-
BW
4
IndividualByte
写 使能
I 同步的 字节 写 使能.
BW
1
控制 i/o
0-7
, i/o
P1
,
BW
2
控制 i/o
8-15
, i/o
P2
, 等
任何 起作用的 字节 写 导致 所有 输出 至 是 无能.
CE
碎片Enable I Synchrono美国 碎片 enable.
CE
美国ed和 cs
0
CS
1
enableidt71v3576/78.
CE
gates
ADSP
.
CLK 时钟 I n/一个 这个 是 这 时钟 输入. 所有 定时 references 为 这 设备 是 制造 和 遵守 至 这个
输入.
CS
0
碎片 选择 0 I Synchrono美国 起作用的 高 碎片 选择. cs
0
使用
CE
CS
1
至 使能 这 碎片.
CS
1
碎片选择1 I 同步的 起作用的碎片 选择.
CS
1
使用
CE
CS
0
至 使能 这 碎片.
GW
global 写
使能
I 同步的 global 写 使能. 这个 输入 将 写 所有 四 9-位 数据 字节 当 低
在 这 rising 边缘 的 clk.
GW
取代 单独的 字节 写 使能.
i/O
0
-i/o
31
i/O
P1
-i/o
P4
数据 输入/输出 i/o n/一个 Synchronous 数据 输入/输出 (i/o) 管脚. 两个都 这 数据 输入 path 和 数据 输出 path 是
注册 和 triggered 用 这 rising 边缘 的 clk.
LBO
直线的 burst 顺序 I 异步的 burst 顺序 选择 输入. 当
LBO
是 高,这 interleavedburst
sequence 是 选择. 当
LBO
是 低 这 线条ar burst sequence 是 选择.
LBO
是 一个
静态的 输入 和 必须 不 改变 状态 当 这 设备 是 运行.
OE
输出 使能 I Asynchrono美国 output enable. when
OE
是 低 这 数据 输出 驱动器 是 使能 在 这
i/o 管脚 如果 这 碎片 是 也 选择. 当
OE
是 高 这 i/o pins 是在 一个 high-
阻抗 状态.
V
DD
电源 供应 n/一个 n/一个 3.3v 核心 电源 供应.
V
DDQ
电源 供应 n/一个 n/一个 3.3v i/o 供应.
V
SS
地面 n/一个 n/一个 地面.
NC 非 连接 n/一个 n/一个 nc 管脚 是 不 用电气 连接 至 这 设备.
ZZ 睡眠 模式 I Asynchronous 睡眠 模式 输入. zz 高 将 门 这 clk 内部 和 电源 向下 这
idt71v3576/78它的 lo我们st power consumption level.数据retentionguaranteed
睡眠 模式.
5279 tb l02
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