W27C02
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函数的 descripti在
读 模式
像 常规的 uveproms, 这 w27c02 有 二 控制 功能 和 两个都 的 这些 生产 数据 在
这 输出.
#ce 是 为 电源 控制 和 碎片 选择. #oe 控制 这 输出 缓存区 至 门 数据 至 the 输出 管脚.
当 地址 是 稳固的, 这 地址 进入 时间 (tACC) 是 equal 至 这 延迟 从 #ce 至 输出
(tCE), 和 数据 是 有 在 这 输出 tOE之后 这 下落 边缘 的 #oe, 如果 tACC和 tCEtimings
是 符合.
擦掉 模式
这 擦掉 operation 是 这 仅有的 方法 至 改变 数据 从 "0" 至 "1." 不像 常规的 uveproms,
这个 使用 ultraviolet 明亮的 至 擦掉 这 内容 的 这 全部 碎片 (一个 程序 那 需要 向上 至 half 一个
小时), 这 w27c02 使用 电的 erasure. 一般地, 这 碎片 能是 erased 在里面 100 ms 用 使用 一个
非易失存储器 writer 和 一个 特定的 擦掉 algorithm.
那里 是 二 方法 至 enter 擦掉 模式. 一个 是 至 raise vPP至 vPE(12v), vDD= vCE(5.0v),#ce 低,
#oe 高,a9 = vHH(12v), 和 所有 其它 地址 管脚 是 保持 在 fixed low 或者 高.pulsing #pgm 低
开始 这 擦掉 运作.这 其它 方法 是 somewhat 像 flash, 用 程序编制 二 consecutive
commands 在 这 设备 和 然后 enter 擦掉 模式. 这 二 commands 是 加载 数据 = aa(十六进制)
至 地址. = 5555(十六进制) 和 数据 = 10(十六进制) 至 地址. = 2aaa(十六进制). 是 细致的 至 便条 那 这 #pgm 脉冲波
widths 的 这些 二 commands 是 不同的: 一个 是 100
µ
s, 当 这 其它 是 100 ms. 请 谈及 至
这 smart 擦掉 algorithm 1 &放大; 2.
擦掉 核实 模式
之后 一个 擦掉 运作, 所有 的 the 字节 在 这 碎片 必须 是 核实 至 审查 whether 它们 有 被
successfully erased 至 "1" 或者 不. 这 擦掉 核实 模式 automatically 确保 一个 substantial 擦掉
余裕. 这个 模式 将 是 entered 之后 这 擦掉 运作 如果 vDD= vPE(5.0v), #ce low, 和 #oe 低,
#PGM高.
程序 模式
程序编制 是 执行 exactly 作 它 是 在 常规的 uveproms, 和 程序编制 是 这 仅有的
方法 至 改变 cell 数据 从 "1" 至 "0." 这 程序 模式 是 entered 当 vPP是 raised 至 vPP(12v),
VDD=VCP(5.0v), #ce低, #oe高, 这 地址 管脚 equal 这 desired 地址, 和 这 输入 管脚
equal 这 desired 输入. pulsing #pgm 低 开始 这 程序编制 运作.
程序 核实 模式
所有 的 这 字节 在 这 碎片 必须 是 核实 至 审查 whether 它们 有被 successfully 编写程序
和 这 desired 数据 或者 不. hence, 之后 各自 字节 是 编写程序, 一个 程序 核实 运作 应当
是 执行. 这 程序 核实 模式 automatically 确保 一个 substantial 程序 余裕. 这个 模式
将 是 entered 之后 这程序 运作 如果 vPP=VPP(12v), #ce低, #oe低,和 #pgm高.
擦掉/程序 inhibit
擦掉 或者 程序 inhibit 模式 准许 并行的 erasing 或者 程序编制 的 多样的 碎片 和 不同的
数据. 当 #ce高, erasing 或者 程序编制 的 非-目标 chips 是 inhibited, 所以 那 除了 为 这
#ce, 这w27c02 将 有 一般 输入.
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