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资料编号:1097462
资料名称:
fga25n120
文件大小: 471368K
说明
:
介绍
:
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,25A
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fga25n120an rev. 一个
FGA25N120AN
©2004 仙童 半导体 公司
10
20
30
40
50
100
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 10
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(止)
tf
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
0
10203040506070
1
10
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 25a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Eon
Eoff
切换 丧失 [mj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0
10203040506070
10
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 25a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(止)
tf
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0
10203040506070
10
100
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 25a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(在)
tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
110
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
Ciss
Coss
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
Crss
电容 [pf]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
图 7. 电容 特性
图 8. 转变-在 特性 vs. 门
阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
10
20
30
40
50
100
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 10
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
tr
td(在)
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
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