半导体
dim600dds17-a000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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电的 特性
T
情况
= 25° c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
ces
集电级 截-止 电流 V
GE
= ov, v
CE
= v
CES
- - 1 毫安
V
GE
= ov, v
CE
= v
CES
, t
情况
= 125° c - - 20 毫安
I
ces
门 泄漏 电流 V
GE
= ±20v, v
CE
= 0v - - 4 µA
V
ge(th)
门 门槛 电压 I
C
= 30ma, v
GE
= v
CE
4.5 5.5 6.5 V
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压 V
GE
= 15v, i
C
= 600a - 2.7 3.2 V
V
GE
= 15v, i
C
= 600a, t
情况
= 125° c - 3.4 4.0 V
I
F
二极管 向前 电流 直流 - - 600 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 t
p
= 1ms - - 1200 一个
V
F
二极管 向前 电压 I
F
= 600a - 2.0 2.3 V
I
F
= 600a, t
情况
= 125° c - 2.1 2.4 V
C
ies
输入 电容 V
CE
= 25v, v
GE
= 0v, f = 1mhz - 45 - nF
L
M
单元 电感 -每 arm - - 3.8 - nH
R
INT
内部的 阻抗 –per arm - - 0.27 -
m
Ω
SC
数据
短的 电路. i
sc
T
j
= 125° c, v
cc
= 900v, I
1
- 2780 - 一个
t
p
≤
10µs,
V
ce(最大值)
= v
CES
- l*×di/dt
I
2
- 2400 - 一个
iec 60747-9
便条:
量过的 在 这 电源 busbars 和 不 这 auxiliary terminals
* l 是 这 电路 电感 + l
M