mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
静电的 敏感的 设备
RD01MUS1
rohs 遵从, 硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,1w
RD01MUS1
mitsubishi electric
10 jan 2006
注意到 处理 预防措施
典型 特性
流 消耗 vs.
包围的 温度
0
1
2
3
4
0 40 80 120 160 200
包围的 温度 ta(°c)
频道 消耗
pch(w)
在 pcb(*1)
在 pcb(*1) 和 热温-下沉
*1:这 材料 的 这 pcb
glass 环氧的 (t=0.6 mm)
vds-ids 特性
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0246810
vds(v)
ids(一个)
Ta=+25°C
Vgs=9V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=6V
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
Vgs=10V
vgs-ids 特性
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
012345
vgs(v)
ids(一个)
Ta=+25°C
Vds=10V
vds vs. ciss 特性
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 5 10 15 20
vds(v)
ciss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
vds vs. coss 特性
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 5 10 15 20
vds(v)
coss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
vds vs. crss 特性
0
1
2
3
4
0 5 10 15 20
vds(v)
crss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
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