slus564b −july 2003 − 修订 12月 2003
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终端 功能 (持续)
终端
i/o 描述
名字 非.
i/o 描述
PGOOD 12 O
电源 好的输出. 这个 是 一个 打开 流 拉-向下 管脚 为 电源 好的. 它 仍然是 low 在 软-开始 直到
两个都输出 变为 在里面
±
7.5%. 如果 inv1 或者 inv2 是 输出 的 规章制度, 或者 vreg5v 变得 下面 uvlo 然后 这个
管脚 变得 低. 这 内部的 延迟 计时器 counts 2048 clks 在 低 至 高 (用 设计, 非 延迟 为 high 至 低). 如果
enblx 是 低, 和 这 电源 好的 输出 是 高, 然后 这 电源 好的 信号 为 那 频道 是 ignored.
ref_x 8 O
10-v n-频道 场效应晶体管 偏差 或者 (vo1_vddq)/2 涉及 输出. 如果 双 模式 是 选择 (ddr> 2.2 v)
然后 这个 管脚 提供 一个 低 10-v 电流 (< 2 毫安) 偏差, dropped 向下 从 v
在
, 为 这 所以 – s5 切换
n-频道mosfets. 如果 ddr 模式 是 选择 (ddr
= 地) 然后 这个 管脚 变为 (vo1_vddq)/2有能力
的 3 毫安 源 电流. 这个 偏差/涉及 是 shut 止 当 enbl1 和 enbl2 是 两个都 低. (看 表格 2)
reg5_在 21 I
外部 5v调整器 输入. 如果 这个 管脚 是 在之上4.7 v, 然后 这 5 v 电路 偏差 switches 从 这 vref5 至 这
供应 提交 至 reg5_在.
SSTRT1 3 I
软-开始/频率选择 输入. 连接 一个 电容 在 sstrtx 和 地面 为 调整 这 softstart
时间. 一个 常量 电流喂养 至 这个 电容 ramps 这 涉及 在 startup.频率 选择 是 de-
SSTRT2 13 I
时间. 一个 常量 电流喂养 至 这个 电容 ramps 这 涉及 在 startup.频率 选择 是 de-
scribed在 表格 1. 这 软-开始 电容 是 释放 在之上 uvlo/ovp/uvp, 或者 当 enblx 是 asserted
低.
SKIP 4 I
skip 模式 选择 管脚. 地面 为 自动 控制 在 pwm 模式 在 重的 加载 和 hysteretic 运算-
限定 在明亮的 加载. 系 高 为 pwm 仅有的 运作 为 这 全部 加载 情况. 如果 ddr
是 grounded, 然后 skip
模式 是 无能 为 频道 2.
TRIP1 25 I
频道 1overcurrent trip 要点 电压 输入. 连接 一个 电阻 在 trip1 和 这 高-一侧 n-频道
场效应晶体管 输入 转换 电压 为 高-一侧 n-频道场效应晶体管 uvp 电流 限制 shut 向下. 连接
电阻 在 trip1 和 地 为 低-一侧 n-频道 场效应晶体管 overcurrent 获得 关闭.
TRIP2 23 I
频道 2overcurrent trip 要点 电压 输入. 连接 一个 电阻 在 trip2 和 这 高-一侧 n-频道
场效应晶体管输入 转换 电压 为 高-一侧 n-频道 场效应晶体管 uvp 电流 限制 shut 向下 和 一个 180
°
频道阶段 变换. 连接 电阻 在 trip2 和 地 为 低-一侧 n-频道 场效应晶体管 在 电流
获得 shut-down. 这 振荡器 电压 ramp 调整 (这 喂养-向前 特性) 为 频道 2 是 无能
当 这个 管脚 是 系 至 地面 通过 一个 电阻.
VBST1 30 I
供应 输入 为 高-一侧 n-频道 场效应晶体管 驱动器. 典型地 连接 通过 承担 打气 从 llx.
VBST2 16 I
供应 输入 为 高-一侧 n-频道 场效应晶体管 驱动器. 典型地 连接 通过 承担 打气 从 llx.
vo1_vddq 5 I
输出释放 管脚. 连接 这个 管脚 至 这 smps 输出 当 释放 是 必需的 为 电源 向下.这
输出 是释放 至 在 least 0.3 v 在之前 这 频道 能 开始-向上 又一次. 地面 这个 管脚 当释放 i
s
不 必需的. 当 grounded, 相应的 频道 使不能运转 这 低 一侧 n-频道 场效应晶体管 在 开始-
VO2
11 I
输出 是释放 至 在 least 0.3 v 在之前 这 频道 能 开始-向上 又一次. 地面 这个 管脚 当释放 是
不 必需的. 当 grounded, 相应的 频道 使不能运转 这 低 一侧 n-频道 场效应晶体管 在 开始-
向上直到 这 高 一侧 n-频道 场效应晶体管 attempts 至 转变 在. 如果 ddr是 低, 然后 这 vo1_vddq 管脚 必须 是 con-
nected 至这 vddq 输出 自从 这个 管脚 工作 作 这 vddq 反馈 至 发生 这 vtt 涉及 电压
和 vo2 应当 是 连接 至 地 自从 v
TT
必须 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态 在 s3 模式.
VREG5 22 O 内部的, 60-毫安, 5-v 调整器 输出. ddr, enbl1 或者 enbl2 高 ( > 2.2v) 转变 在 这 5 v regulator.
VIN 24 I
高-电压输入. 典型地 这 电池 电压. 这个管脚 serves 作 输入 为 这 vref5 调整器, 这 ref_X
regulator和 积极的 输入 为 overcurrent comparators. precaution 应当 是 带去 为 tracing 在 这个
管脚 和 这 高-一侧 n-频道 场效应晶体管 流 在哪里 积极的 node 的 tripx 电阻器 是 located.
表格 2. 涉及 调整器 控制
模式 DDR ENBL1 ENBL2 VREF5 ref_x OSC
DDR 低 低 低 止 止 止
DDR 低 低 高 在
止
在
DDR 低 高 低 在
vo1_ddr
2
在
DDR 低 高 高 在
vo1_ddr
2
在
双 高 低 低 在 止 止
双 高 低 高 在 10 v 在
双 高 高 低 在 10 v 在
双 高 高 高 在 10 v 在
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