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数据 薄板
2 mbit / 4 mbit spi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
©2006 硅 存储 技术, 公司 s71231-06-000 1/06
写-状态-寄存器 (wrsr)
这 写-状态-寄存器 操作指南 工作 在 conjunction
和 这 使能-写-状态-寄存器 (ewsr) 操作指南
至 写 新 值 至 这 bp1, bp0, 和 bpl 位 的 这
状态 寄存器. 这 写-状态-寄存器 操作指南 必须
是 executed 立即 之后 这 执行 的 这 使能-
写-状态-寄存器 操作指南 (非常 next 操作指南 总线
循环). 这个 二-步伐 操作指南 sequence 的 这 ewsr
操作指南 followed 用 这wrsr 操作指南 工作 像
sdp (软件 数据 保护) command 结构 这个
阻止 任何 意外的 改变 的 这 状态 寄存器 val-
ues. 这 写-状态-寄存器 操作指南 将 是 ignored
当 wp# 是 低 和 bpl 位 是 设置 至 “1”. 当 这 wp#
是 低, 这 bpl 位 能 仅有的 是 设置 从 “0” 至 “1” 至 锁-
向下 这 状态 寄存器, 但是 不能 是 重置 从 “1” 至 “0”.
当 wp# 是 高, 这 锁-向下 函数 的 这 bpl 位 是
无能 和 这 bpl, bp0, 和 bp1 位 在 这 状态 reg-
ister 能 所有 是 changed. 作 长 作 bpl 位 是 设置 至 0 或者
wp# 管脚 是 驱动 高 (v
IH
) 较早的 至 这 低-至-高 transi-
tion 的 这 ce# 管脚 在 这 终止 的 这 wrsr 操作指南, 这
bp0, bp1, 和 bpl 位 在 这 状态 寄存器 能 所有 是
改变 用 这 wrsr 操作指南. 在 这个 情况, 一个 单独的
wrsr 操作指南 能 设置 这 bpl 位 至 “1” 至 锁 向下
这 状态 寄存器 作 好 作 altering 这 bp0 和 bp1 位
在 这 一样 时间. 看 表格 3 为 一个 summary 描述 的
wp# 和 bpl 功能. ce# 必须 是 驱动 低 在之前
这 command sequence 的 这 wrsr 操作指南 是
entered 和 驱动 高 在之前 这 wrsr 操作指南 是
executed. 看 图示 13 为 ewsr 和 wrsr 操作指南
sequences.
图示 13: E
NABLE
-w
RITE
-s
TATUS
-r
EGISTER
(ewsr)
和
W
RITE
-s
TATUS
-r
EGISTER
(wrsr) s
EQUENCE
1231 f13.1
模式 3
高 阻抗
模式 0
状态
寄存器 在
76543210
MSBMSBMSB
01
模式 3
SCK
SI
所以
CE#
模式 0
50
0 1 2 3 4 5 6 7 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
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