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数据 薄板
2 mbit / 4 mbit spi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
©2006 硅 存储 技术, 公司 s71231-06-000 1/06
电的 规格
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 those 列表 下面 “absolute 最大
压力 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 than 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. exposure 至 绝对 最大 压力 比率 conditions 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . -55°c 至 +125°c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -65°c 至 +150°c
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 v
DD
+0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -2.0v 至 v
DD
+2.0v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25°c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 1.0w
表面 挂载 焊盘 软熔焊接 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .260°c 为10 秒
输出 短的 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0°c 至 +70°c 2.7-3.6v
工业的 -40°c 至+85°C 2.7-3.6v
扩展 -20°c 至 +85°c 2.7-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间. . . . . . . . . . . . . . .5 ns
输出 加载. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C
L
= 30 pf
看 计算数量 19 和 20
表格 7: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6v
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DDR
读 电流 10 毫安 ce#=0.1 v
DD
/0.9 v
DD
@20 mhz, 所以=打开
I
DDW
程序 和 擦掉 电流 30 毫安 CE#=V
DD
I
SB
备用物品 电流 15 µA CE#=V
DD
, v
在
=V
DD
或者 v
SS
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.7 v
DD
VV
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.2 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 V
DD
-0.2 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t7.0 1231
表格 8: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
V
DD
最小值 至 读 运作 10 µs
T
pu-写
1
V
DD
最小值 至 写 运作 10 µs
t8.0 1231
表格 9: C
APACITANCE
(ta = 25°c, f=1 mhz, 其它 管脚 open)
参数 描述 测试 情况 最大
C
输出
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
输出 管脚 电容 V
输出
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t9.0 1231
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