数据 薄板
2 mbit / 4 mbitspi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
17
©2006 硅 存储 技术, 公司 s71231-06-000 1/06
表格 10: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格ification 单位 测试 方法
N
终止
1
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t10.0 1231
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
表格 11: 交流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6v
标识 参数
限制
最小值 最大值 单位
F
CLK
串行 时钟 频率 20 MHz
T
SCKH
串行 时钟 高 时间 20 ns
T
SCKL
串行 时钟 低 时间 20 ns
T
SCKR
串行 时钟 上升 时间 5 ns
T
SCKF
串行 时钟 下降 时间 5 ns
T
CES
1
1. 相关的 至 sck.
ce# 起作用的 建制 时间 20 ns
T
CEH
1
ce# 起作用的 支撑 时间 20 ns
T
CHS
1
ce# 不 起作用的 建制 时间 10 ns
T
CHH
1
ce# 不 起作用的 支撑 时间 10 ns
T
CPH
ce# 高 时间 100 ns
T
CHZ
ce# 高 至 高-z 输出 20 ns
T
CLZ
sck 低 至 低-z 输出 0 ns
T
DS
数据 在 建制 时间 4 ns
T
DH
数据 在 支撑 时间 5 ns
T
HLS
hold# 低 建制 时间 10 ns
T
HHS
hold# 高 建制 时间 10 ns
T
HLH
hold# 低 支撑 时间 15 ns
T
HHH
hold# 高 支撑 时间 10 ns
T
HZ
hold# 低 至 高-z 输出 20 ns
T
LZ
hold# 高 至 低-z 输出 20 ns
T
OH
输出 支撑 从 sck 改变 0 ns
T
V
输出 有效的 从 sck 23 ns
T
SE
sector-擦掉 25 ms
T
是
块-擦掉 25 ms
T
SCE
碎片-擦掉 100 ms
T
BP
字节-程序 20 µs
t11.2 1231
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