半导体 组件 industries, llc, 2005
march, 2005 − rev. 1
发行 顺序 号码:
nsr30cm3t5g/d
1
NSR30CM3T5G
preferred 设备
双 序列 肖特基
屏障 二极管
这些 肖特基 屏障 二极管 是 设计 为 高 速 切换
产品, 电路 保护, 和 电压 夹紧. 极其 低
向前 电压 减少 传导 丧失. 小型的 表面 挂载
包装 是 极好的 为 hand−held 和 可携带的 产品 在哪里
空间 是 限制.
•
极其 快 切换 速
•
低 向前 电压 − 0.35 v (典型值) @ i
F
= 10 毫安
•
这个 是 一个 pb−free 设备
最大 比率
(t
J
= 125
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
反转 电压 V
R
30 伏特
向前 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
F
240
1.9
mW
mw/
°
C
向前 电流 (直流) I
F
200 最大值 毫安
接合面 温度 T
J
125 最大值
°
C
存储 温度 范围 T
stg
−55 至 +150
°
C
热的 阻抗
junction−to−ambient (便条 1)
R
JA
525
°
c/w
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. fr−5 板 和 最小 挂载 垫子.
30 v
双 一般 cathode
肖特基 屏障
二极管
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NSR30CM3T5G SOT−723
(pb−free)
8000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
SOT−723
情况 631aa
样式 3
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
标记
图解
3
CATHODE
1
ANODE
2
ANODE
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
5C = 明确的 设备 代号
D = 日期 代号
5c d
1
3
2
1
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