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资料编号:1119102
 
资料名称:NCP1653A
 
文件大小: 133K
   
说明
 
介绍:
3 A Dual High-Speed MOSFET Drivers
 
 


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NCP4330
http://onsemi.com
3
最大 比率
标识 比率 单位
BST 自举 输入 −0.3, +40 V
RST 重置 输入 −0.3, +5.0 V
c_ramp 定时 电容 node (便条 1) −0.3, v
rampHL
V
i_ramp 规章制度 电流 输入 (便条 1) −0.3, vcl V
V
DD
供应 电压 −0.3, +20 V
R
JA
热的 阻抗 180
°
c/w
T
J
运行 接合面 温度 范围 (便条 2) −40, +125
°
C
T
Jmax
最大 接合面 温度 150
°
C
T
Smax
存储 温度 范围 −65 至 +150
°
C
T
Lmax
含铅的 温度 (焊接, 10 s) 300
°
C
最大 比率是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现. 最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 stress 限制
(不 正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是 超过, 设备 函数的 运作 is 不 暗指,
损坏 将 出现 和 可靠性 将 是 影响.
1. V
rampHL
和 vcl 是 这 内部的 clamp 水平 的 管脚 4 和 5 各自.
2. 这 最大 接合面 温度 应当 不 是 超过.
电的 特性
(v
DD
= 10 v, v
BST
= 25 v, t
J
从 −25
°
c 至 +125
°
c, 除非 否则 指定.)
标识 典型的 最小值 Typ 最大值 单位
high−side 输出 平台
V
hs_h
high−side 输出 电压 在 高 状态 @ isource = −100 毫安 22.5 23.5 V
V
hs_l
high−side 输出 电压 在 低 状态 @ isink = 100 毫安 0.9 1.5 V
I
源_hs
电流 能力 的 这 high−side 驱动 输出 在 高 状态 0.5 一个
I
下沉_hs
电流 能力 的 这 high−side 驱动 输出 在 低 状态 0.75 一个
t
r−HS
high−side 输出 电压 上升 时间 从 0.5 v 至 12 v (c
L
= 1.0 nf) 25 ns
t
f−HS
high−side 输出 电压 下降 时间 从 20 v 至 0.5 v (c
L
= 1.0 nf) 25 ns
T
LS−HS
延迟 从 low−side 门 驱动 低 (高) 至 high−side 驱动 高 (低) 100 ns
low−side 输出 平台
V
ls_h
low−side 输出 电压 在 高 状态 @ isource = −500 毫安 7.4 8.2 V
V
ls_l
low−side 输出 电压 在 低 状态 @ isink = 750 毫安 1.3 1.7 V
I
源_ls
电流 能力 的 这 low−side 驱动 输出 在 高 状态 0.5 一个
I
下沉_ls
电流 能力 的 这 low−side 驱动 输出 在 低 状态 0.75 一个
t
r−LS
low−side 输出 电压 上升 时间 从 0.5 v 至 7.0 v (c
L
= 2.0 nf) 25 ns
t
f−LS
low−side 输出 电压 下降 时间 从 9.5 v 至 0.5 v (c
L
= 2.0 nf) 25 ns
ramp 控制
I
承担
c_ramp 电流
@ ipin5 = 100
一个
@ ipin5 = 1.5 毫安
90
1400
102
1590
110
1800
一个
Vcl pin5 clamp 电压 @ ipin5 = 1.5 毫安 0.7 1.4 2.1 V
Vref
L
ramp 控制 涉及 电压, vpin4 下落 1.3 1. 5 1.7 V
Vref
H
ramp 控制 涉及 电压, vpin4 rising 2.25 2.5 2.75 V
V
rampHL
ramp 电压 最大 值 @ ipin5 = 1.5 毫安 3.2 3.6 4.2 V
V
rampLL
ramp 电压 低 电压 @ ipin5 = 1.5 毫安 100 mV
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