组件 Selections
(持续)
输出 电容
这 LP2996 有 被 设计 至 是 insensitive 的 输出
电容 大小 或者 等效串联电阻 (相等的 序列 阻抗). 这个
准许 这 flexibility 至 使用 任何 电容 desired. 这 选择
为 输出 电容 将 是 决定 solely 在 这 applica-
tion 和 这 (所需的)东西 为 加载 瞬时 回馈 的 V
TT
.
作 一个 一般 推荐 这 输出 电容 应当
是 sized 在之上 100 µF 和 一个 低 等效串联电阻 为 SSTL 产品
和 ddr-sdram. 这 值 的 等效串联电阻 应当 是 决定
用 这 最大 电流 尖刺 预期的 和 这 程度 在
这个 这 输出 电压 是 允许 至 droop. 一些 capaci-
tor 选项 是 有 在 这 market 和 一个 few 的 这些
是 突出 在下:
AL - 它 应当 是 指出 那 许多 铝 electrolytics 仅有的
具体说明 阻抗 在 一个 频率 的 120 hz, 这个 indicates
它们 有 poor 高 频率 效能. 仅有的 铝
electrolytics 那 有 一个 阻抗 指定 在 一个 高等级的
频率 (在 20 kHz 和 100 khz) 应当 是 使用 为
这 lp2996. 至 改进 这 等效串联电阻 一些 AL electrolytics 能
是 联合的 在 并行的 为 一个 整体的 减少. 一个 重要的
便条 至 是 知道 的 是 这 程度 在 这个 这 等效串联电阻 将
改变 在 温度. 铝 electrolytic 电容
能 有 它们的 等效串联电阻 迅速 增加 在 cold 温度.
陶瓷的 - 陶瓷的 电容 典型地 有 一个 低 capaci-
tance, 在 这 范围 的 10 至 100 µF 范围, 但是 它们 有
极好的 交流 效能 为 bypassing 噪音 因为 的
非常 低 等效串联电阻 (典型地 较少 比 10 m
Ω
). 不管怎样, 一些
dielectric 类型 做 不 有 好的 电容 characteris-
tics 作 一个 函数 的 电压 和 温度. 因为 的 这
典型地 低 值 的 电容 它 是 推荐 至 使用
陶瓷的 电容 在 并行的 和 另一 电容 此类 作
一个 铝 electrolytic. 一个 dielectric 的 X5R 或者 更好的 是
推荐 为 所有 陶瓷的 电容.
混合的 - 一些 混合的 电容 此类 作 os-con 和 SP
是 有 从 一些 manufacturers. 这些 提供 一个
大 电容 当 维持 一个 低 等效串联电阻. 这些 是
这 最好的 解决方案 当 大小 和 效能 是 核心的,
虽然 它们的 费用 是 典型地 高等级的 比 任何 其它 capaci-
tor.
热的 消耗
自从 这 LP2996 是 一个 直线的 调整器 任何 电流 流动 从
V
TT
将 结果 在 内部的 电源 消耗 generating 热温.
至 阻止 损害的 这 部分 从 exceeding 这 最大
容许的 接合面 温度, 小心 应当 是 带去 至
减额 这 部分 依赖 在 这 最大 预期的 ambi-
ent 温度 和 电源 消耗. 这 最大 准许-
能 内部的 温度 上升 (t
Rmax
) 能 是 计算
给 这 最大 包围的 温度 (t
Amax
)ofthe
应用 和 这 最大 容许的 接合面 温度
(t
Jmax
).
T
Rmax
=T
Jmax
−T
Amax
从 这个 等式, 这 最大 电源 消耗 (p
Dmax
)
的 这 部分 能 是 计算:
P
Dmax
=T
Rmax
/
θ
JA
这
θ
JA
的 这 LP2996 将 是 依赖 在 一些 vari-
ables: 这 包装 使用; 这 厚度 的 铜; 这 num-
ber 的 vias 和 这 airflow. 为 instance, 这
θ
JA
的 这 所以-8
是 163˚c/w 和 这 包装 挂载 至 一个 标准 8x4
2-layer 板 和 1oz. 铜, 非 airflow, 和 0.5w dissi-
pation 在 房间 温度. 这个 值 能 是 减少 至
151.2˚c/w 用 changing 至 一个 3x4 板 和 2 oz. 铜 那
是 这 电子元件工业联合会 标准.
图示 2
显示 如何 这
θ
JA
varies
和 airflow 为 这 二 boards 提到.
额外的 改进 能 是 制造 用 这 judicious 使用
的 vias 至 连接 这 部分 和 dissipate 热温 至 一个 内部的
地面 平面. 使用 大 查出 和 更多 铜 在 这
顶 一侧 的 这 板 能 也 帮助. 和 细致的 布局 它 是
可能 至 减少 这
θ
JA
更远 比 这 名义上的 值
显示 在
图示 2
布局 是 也 极其 核心的 至 maximize 这 输出
电流 和 这 LLP 包装. 用 simply 放置 vias 下面
这 DAP 这
θ
JA
能 是 lowered significantly.
图示 3
显示
这 LLP 热的 数据 当 放置 在 一个 4-layer 电子元件工业联合会
板 和 铜 厚度 的 0.5/1/1/0.5 oz. 这 号码 的
vias, 和 一个 程度 的 1.27 mm, 有 被 增加 至 这
最大 的 4 在哪里 一个
θ
JA
的 50.41˚c/w 能 是 得到.
通过 wall 厚度 为 这个 计算 是 0.036 mm 为 1oz.
铜.
20057507
图示 2.
θ
JA
vs Airflow (所以-8)
20057508
图示 3. llp-16
θ
JA
vs # 的 Vias (4 Layer 电子元件工业联合会
板))
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