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整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. D
02/01/06
is42s81600b, is42s16800b
绝对 最大 比率
(1)
标识 Parameters 比率 单位
V
DD
最大值
最大 供应 电压 –0.5至+4.6 V
V
DDQ
最大值
最大 供应 电压 为 输出 缓存区 –0.5 至 +4.6 V
V
在
输入 电压 –0.5 至 v
DD
+ 0.5 V
V
输出
输出 电压 –1.0 至 v
DDQ
+ 0.5 V
P
D
最大值
容许的 电源 消耗 1 W
I
CS
输出 短接 电流 50 毫安
T
OPR
运行 温度 com. 0 至 +70 °C
ind. –40 至+85
T
STG
存储 温度 –65 至 +150 °C
直流 推荐 运行 情况
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 3.0 3.3 3.6 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 3.0 3.3 3.6 V
V
IH
(1)
输入 高 电压 2.0 — V
DDQ
+ 1.2 V
V
IL
(2)
输入 低 电压 -1.2 — +0.8 V
电容 特性
(在 t
一个
= 0 至 +25°c, v
DD
= v
DDQ
= 3.3 ± 0.3v)
标识 参数 最小值 最大值 单位
-6 -7/-75e
C
IN1
输入 电容: clk 2.5 3.5 4.0 pF
C
IN2
输入 电容:所有 其它 输入 管脚 2.5 3.8 5.0 pF
ci/o Dat一个 输入/输出 电容:i/os 4.0 6.5 6.5 pF
便条:
1. v
IH
(最大值) = v
DDQ
+1.2v (
脉冲波
宽度
< 3
NS
).
2. v
IL
(最小值) = -1.2v (
脉冲波
宽度
< 3
NS
).
3. 所有 电压 是 关联 至 vss.
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至
这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 condi-
tions 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
2. 所有 电压 是 关联 至 vss.
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