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资料编号:1123762
 
资料名称:MRF9060LR1
 
文件大小: 268K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf9060nr1 mrf9060nbr1 mrf9060mr1 mrf9060mbr1
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 5. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
函数的 tests
(在 freescale 测试 fixture, 50 ohm 系统)
声调 一般
源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
G
ps
17 18 dB
声调 流 效率
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
η
37 40 %
3rd 顺序 交调 扭曲量
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
IMD
31.5
28 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 945.0 mhz, f2 = 945.1 mhz)
IRL
14.5
9 dB
声调 一般
源 放大器 电源 增益
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
G
ps
18 dB
声调 流 效率
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
η
40 %
3rd 顺序 交调 扭曲量
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
IMD
31 dBc
输入 返回 丧失
(v
DD
= 26 vdc, p
输出
= 60 w pep, i
DQ
= 450 毫安,
f1 = 930.0 mhz, f2 = 930.1 mhz 和 f1 = 960.0 mhz,
f2 = 960.1 mhz)
IRL
12.5 dB
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