mrf5s9101nr1 mrf5s9101nbr1 mrf5s9101mr1 mrf5s9101mbr1
1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 gsm 和 gsm 边缘 根基 station 产品 和
发生率 从 869 至 960 mhz. 合适的 为 multicarrier 放大器
产品.
gsm 应用
•
典型 gsm 效能: v
DD
= 26 伏特, i
DQ
= 700 毫安, p
输出
=
100 watts cw, 全部 频率 带宽 (869-894 mhz 和 921-960 mhz)
电源 增益-17.5 db
流 效率-60%
gsm 边缘 应用
•
典型 gsm 边缘 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
= 650 毫安, p
输出
=
50 watts avg., 全部 频率 带宽 (869-894 mhz 和 921-960 mhz)
电源 增益 — 18 db
谱的 regrowth @ 400 khz 补偿 =-63 dbc
谱的 regrowth @ 600 khz 补偿 =-78 dbc
evm — 2.3% rms
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, @ 100 w cw 输出 电源,
@ f = 960 mhz
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
内部 matched 为 使容易 的 使用
•
qualified 向上 至 一个 最大 的 32 v
DD
运作
•
整体的 静电释放 保护
•
n 后缀 indicates 含铅的-自由 terminations
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm, 13 inch 卷轴.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
- 0.5, +68 Vdc
门-源 电压 V
GS
- 0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
427
2.44
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
表格 2. 热的 特性
典型的 标识 值
(1,2)
单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况
情况 温度 80
°
c, 100 w cw
情况 温度 80
°
c, 50 w cw
R
θ
JC
0.41
0.47
°
c/w
1. mttf calculator 有 在 http://www.freescale.com/rf. 选择 tools/软件/应用 软件/calculators 至 进入
这 mttf calculators 用 产品.
2. 谈及 至 an1955,
热的 度量 methodology 的 rf 电源 放大器.
go 至 http://www.freescale.com/rf
.
选择 必备资料/应用 注释-an1955.
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
文档 号码: mrf5s9101
rev. 2, 7/2005
freescale 半导体
技术的 数据
869-960 mhz, 100 w, 26 v
gsm/gsm 边缘
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
MRF5S9101NR1
MRF5S9101NBR1
MRF5S9101MR1
MRF5S9101MBR1
情况 1486-03, 样式 1
至-270 wb-4
塑料
mrf5s9101nr1(mr1)
情况 1484-02, 样式 1
至-272 wb-4
塑料
mrf5s9101nbr1(mbr1)
freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
: 点此下载
