CY7C1347G-250AXC_集成电路资料查询网

CY7C1347G
文档 #: 38-05516 rev. *c 页 8 的 19
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度
..................................... −
65
°
c 至 +150
°
C
包围的 温度 和
电源 应用
.................................................. −
55
°
c 至 +125
°
C
供应 电压 在 v
DD
相关的 至 地
.........−
0.5v 至 +4.6v
直流 电压 应用 至 输出
在 高-z 状态
........................................... −
0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
直流 输入 电压
....................................... −
0.5v 至 v
DD
+ 0.5v
电流 在 输出 (低)......................................... 20 毫安
静态的 释放 电压.......................................... > 2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流.................................................... > 200 毫安
运行 范围
范围
包围的
Temper一个ture V
DD
V
DDQ
Com’l 0°c 至 +70°c 3.3v
−
5%/+10%
2.5v
−
5%
至 v
DD
Ind’l –40°c 至 +85°c
电的 特性
在 这 运行 范围
[8, 9]
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.135 3.6 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 2.375 V
DD
V
V
OH
输出 高 电压 为 3.3v i/o, i
OH
= –4.0 毫安 2.4 V
为 2.5v i/o, i
OH
= –1.0 毫安 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 为 3.3v i/o, i
OL
= 8.0 毫安 0.4 V
为 2.5v i/o, i
OL
= 1.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压
[8]
为 3.3v i/o 2.0 V
DD
+ 0.3v V
为 2.5v i/o 1.7 V
DD
+ 0.3v V
V
IL
输入 低 电压
[8]
为 3.3v i/o –0.3 0.8 V
为 2.5v i/o –0.3 0.7 V
I
X
输入 泄漏 电流
除了 zz 和 模式
地 <V
I
< v
DDQ
−
5 5
µ
一个
输入 电流 的 模式 输入 = v
SS
−
30
µ
一个
输入 = v
DD
5
µ
一个
输入 电流 的 zz 输入 = v
SS
−
5
µ
一个
输入 = v
DD
30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流 地
≤
V
I
≤
V
ddq,
输出 无能
−
5 5
µ
一个
I
DD
V
DD
运行 供应
电流
V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4-ns 循环, 250 mhz 325 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 265 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 240 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 225 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
current—ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
在
> v
IH
或者 v
在
< v
IL
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4-ns 循环, 250 mhz 120 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 110 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 100 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 90 毫安
I
SB2
自动 ce
电源-向下
current—cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
在
<0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
– 0.3v,
f = 0
所有 speeds 40 毫安
I
SB3
自动 ce
电源-向下
current—cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, 或者
V
在
<0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
– 0.3v
f = f
最大值
= 1/t
CYC
4-ns 循环, 250 mhz 105 毫安
5-ns 循环, 200 mhz 95 毫安
6-ns 循环, 166 mhz 85 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 75 毫安
注释:
8. 越过: v
IH
(交流) < v
DD
+1.5v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2), undershoot: v
IL
(交流) > –2v (脉冲波 宽度 较少 比 t
CYC
/2).
9. T
电源-向上
: 假设 一个 直线的 ramp 从 0v 至 v
DD
(最小值.) 在里面 200 ms. 在 这个 时间 v
IH
< v
DD
和 v
DDQ
<V
DD
.

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CY7C1347G 文档 #: 38-05516 rev. *c 页 8 的 19 最大比率 (在之上这个这有用的生命将是 impaired. 为用户手册- 线条, 不测试.) 存储温度 ..................................... − 65 ° c 至 +150 ° C 包围的温度和电源应用 .................................................. − 55 ° c 至 +125 ° C 供应电压在 v DD 相关的至地 .........− 0.5v 至 +4.6v 直流电压应用至输出在高-z 状态 ........................................... − 0.5v 至 v DD + 0.5v 直流输入电压 ....................................... − 0.5v 至 v DD + 0.5v 电流在输出 (低)......................................... 20 毫安静态的释放电压.......................................... > 2001v (每 mil-标准-883, 方法 3015) 获得-向上电流.................................................... > 200 毫安运行范围范围包围的 Temper一个ture V DD V DDQ Com’l 0°c 至 +70°c 3.3v − 5%/+10% 2.5v − 5% 至 v DD Ind’l –40°c 至 +85°c 电的特性在这运行范围 [8, 9] 参数描述测试情况最小值最大值单位 V DD 电源供应电压 3.135 3.6 V V DDQ i/o 供应电压 2.375 V DD V V OH 输出高电压为 3.3v i/o, i OH = –4.0 毫安 2.4 V 为 2.5v i/o, i OH = –1.0 毫安 2.0 V V OL 输出低电压为 3.3v i/o, i OL = 8.0 毫安 0.4 V 为 2.5v i/o, i OL = 1.0 毫安 0.4 V V IH 输入高电压 [8] 为 3.3v i/o 2.0 V DD + 0.3v V 为 2.5v i/o 1.7 V DD + 0.3v V V IL 输入低电压 [8] 为 3.3v i/o –0.3 0.8 V 为 2.5v i/o –0.3 0.7 V I X 输入泄漏电流除了 zz 和模式地 <V I < v DDQ − 5 5 µ 一个输入电流的模式输入 = v SS − 30 µ 一个输入 = v DD 5 µ 一个输入电流的 zz 输入 = v SS − 5 µ 一个输入 = v DD 30 µ 一个 I OZ 输出泄漏电流地 ≤ V I ≤ V ddq, 输出无能 − 5 5 µ 一个 I DD V DD 运行供应电流 V DD = 最大值., i 输出 = 0 毫安, f = f 最大值 = 1/t CYC 4-ns 循环, 250 mhz 325 毫安 5-ns 循环, 200 mhz 265 毫安 6-ns 循环, 166 mhz 240 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 225 毫安 I SB1 自动 ce 电源-向下 current—ttl 输入最大值 v DD , 设备 deselected, V 在 > v IH 或者 v 在 < v IL f = f 最大值 = 1/t CYC 4-ns 循环, 250 mhz 120 毫安 5-ns 循环, 200 mhz 110 毫安 6-ns 循环, 166 mhz 100 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 90 毫安 I SB2 自动 ce 电源-向下 current—cmos 输入最大值 v DD , 设备 deselected, V 在 <0.3v 或者 v 在 > v DDQ – 0.3v, f = 0 所有 speeds 40 毫安 I SB3 自动 ce 电源-向下 current—cmos 输入最大值 v DD , 设备 deselected, 或者 V 在 <0.3v 或者 v 在 > v DDQ – 0.3v f = f 最大值 = 1/t CYC 4-ns 循环, 250 mhz 105 毫安 5-ns 循环, 200 mhz 95 毫安 6-ns 循环, 166 mhz 85 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 75 毫安注释: 8. 越过: v IH (交流) < v DD +1.5v (脉冲波宽度较少比 t CYC /2), undershoot: v IL (交流) > –2v (脉冲波宽度较少比 t CYC /2). 9. T 电源-向上 : 假设一个直线的 ramp 从 0v 至 v DD (最小值.) 在里面 200 ms. 在这个时间 v IH < v DD 和 v DDQ <V DD .

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