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资料编号:1130351
 
资料名称:AON4701
 
文件大小: 500K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
标识 最大值 p-频道 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
DM
T
J
, t
STG
°C
标识 典型值 最大值
40 50
67 80
R
θ
JL
33 40
标识 典型值 最大值
38 50
66 80
R
θ
JL
30 40
-30
±20gate-源 电压
一个
持续的 流
电流
一个
T
一个
=25°C
I
D
T
一个
=70°C
搏动 流 电流
B
W
7.5
6
30
2.5
1.6
-5.3
-6.6
2.5
1.6
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数 最大值 n-频道
30 -30
±20
流-源 电压
T
一个
=70°cpower 消耗
T
一个
=25°C
P
D
单位
°c/w
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 150-55 至 150
热的 特性: n-频道
参数
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
热的 特性: p-频道
°c/w
°c/w
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
AOP605
complementary 增强 模式 地方 效应 晶体管
特性
n-频道 p-频道
V
DS
(v) = 30v -30v
I
D
= 7.5a
(v
GS
= 10v)
-6.6a
(v
GS
= -10v)
R
ds(在)
< 28m
(v
GS
= 10v)
< 35m
(v
GS
= -10v)
< 43m
(v
GS
= 4.5v)
< 58m
(v
GS
= -4.5v)
一般 描述
这 aop605 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这
complementary mosfets 表格 一个 高-速 电源
反相器, 合适的 为 一个 multitude 的 产品.
标准 产品 aop605 是 铅-自由 (满足 rohs
&放大; sony 259 规格). aop605l 是 一个 绿色
产品 订货 选项. aop605 和 aop605l 是
用电气 完全同样的.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
pdip-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-频道
p-频道
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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