ADP3110
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应用 信息
供应 电容 选择
为 这 供应 输入 (vcc) 的 这 adp3110, 一个 local 绕过
电容 是 推荐 至 减少 这 噪音 和 至 供应
一些 的 这 顶峰 电流 描绘. 使用 一个 4.7 µf, 低 等效串联电阻
电容. multilayer 陶瓷的 碎片 (mlcc) 电容 提供
这 最好的 结合体 的 低 等效串联电阻 和 小 大小. 保持 这
陶瓷的 电容 作 关闭 作 可能 至 这 adp3110.
自举 电路
这 自举 电路 使用 一个 承担 存储 电容 (c
BST1
) 和
一个 二极管, 作 显示 在 图示 1. 这些 组件 能 是
选择 之后 这 高-一侧 场效应晶体管 是 选择. 这 自举
电容 必须 有 一个 电压 比率 那 是 能 至 handle 两次
这 最大 供应 电压. 一个 最小 50 v 比率 是
推荐. 这 电容 值 是 决定 使用 这
下列的 equations:
门
门
BSTBST
V
Q
CC
×=+
10
21
(1)
D
门
BSTBST
BST
VVCC
V
CC
C
−
=
+
21
1
(2)
在哪里:
Q
门
是 这 总的 门 承担 的 这 高-一侧 场效应晶体管 在
V
门
.
V
门
是 这 desired 门 驱动 电压 (通常地 在 这 范围 的
5 v 至 10 v, 7 v 正在 典型).
V
D
是 这 电压 漏出 横过 d1.
rearranging 等式 1 和 等式 2 至 solve 为 c
BST1
产量
D
门
BST
VVCC
Q
C
−
×=
10
1
(3)
C
BST2
能 然后 是 建立 用 rearranging 等式 1
12
10
BST
门
门
BST
C
V
Q
C
−×=
(4)
为 例子, 一个 ntd60n02 有 一个 总的 门 承担 的 关于
12 nc 在 v
门
= 7 v. 使用 vcc = 12 v 和 v
D
= 1 v, 我们 find
C
BST1
= 12 nf 和 c
BST2
= 6.8 nf. 好的 质量 陶瓷的
电容 应当 是 使用.
R
BST
是 使用 为 回转 比率 限制的 至 降低 这 ringing 在 这
转变 node. 它 也 提供 顶峰 电流 限制的 通过 d1.
一个 r
BST
值 的 1.5 Ω 至 2.2 Ω 是 一个 好的 选择. 这 电阻
needs 至 是 能 至 handle 在 least 250 mw 预定的 至 这 顶峰
电流 那 流动 通过 它.
一个 小 信号 二极管 能 是 使用 为 这 自举 二极管 预定的 至
这 ample 门 驱动 电压 有提供的 用 v
CC
. 这 自举
二极管 必须 有 一个 最小 15 v 比率 至 承受 这
最大 供应 电压. 这 平均 向前 电流 能 是
estimated 用
最大值
门
AVGF
fQI
×=
)(
(5)
在哪里
f
最大值
是 这 最大 切换 频率 的 这
控制.
这 顶峰 surge 电流 比率 应当 是 计算 用
BST
D
PEAKF
R
VVCC
I
−
=
)(
(6)
场效应晶体管 选择
当 接合 这 adp3110 至 外部 mosfets, 这
设计者 应当 是 知道 的 一个 few 仔细考虑. 这些 帮助 至
制造 一个 更多 强健的 设计 那 降低 压力 在 两个都 这
驱动器 和 mosfets. 这些 压力 包含 exceeding 这
短的-时间 持续时间 电压 比率 在 这 驱动器 管脚 作 好 作
这 外部 场效应晶体管.
它 是 也 高级地 推荐 至 使用 这 激励-snap 电路 至
改进 这 interaction 的 这 驱动器 和 这 特性 的
这 mosfets. 如果 一个 简单的 自举 arrangement 是 使用, 制造
确信 至 包含 一个 恰当的 snubber 网络 在 这 sw node.
高-一侧 (控制) mosfets
这 高-一侧 场效应晶体管 是 通常地 选择 至 是 高 速 至
降低 切换 losses (看 任何 adi flex-mode™ 控制
数据 薄板 为 更多 详细信息 在 场效应晶体管 losses). 这个 通常地
implies 一个 低 门 阻抗 和 低 输入 电容/承担
设备. 还, 那里 是 也 一个 重大的 源 含铅的 电感
那 能 exist (这个 取决于 mainly 在 这 场效应晶体管 包装; 它
是 最好的 至 联系 这 场效应晶体管 vendor 为 这个 信息).
这 adp3110 drvh 输出 阻抗 和 这 外部
mosfets’ 输入 阻抗 决定 这 比率 的 承担
传送 至 这 mosfets’ 门 电容 这个, 在 转变,
确定 这 切换 时间 的 这 mosfets. 一个 大
电压 尖刺 能 是 发生 横过 这 源 含铅的 电感
当 这 高-一侧 mosfets 转变 止, 预定的 至 大 电流
流 在 这 mosfets 在 切换 (通常地 大 在
转变 止 预定的 至 ramping 的 这 电流 在 这 输出 inductor).
这个 电压 尖刺 occurs 横过 这 内部的 消逝 的 这
mosfets 和 能 含铅的 至 catastrophic avalanche. 这
mechanisms involved 在 这个 avalanche 情况 能 是
关联 在 literature 从 这 场效应晶体管 供应者.
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