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 ADG849
rev. 0| 页 9 的 12
测试 电路
SD
V1
V
S
R
在
= v1/i
DS
I
DS
04737-0-008
图示 15. 在-阻抗
S
D
V
S
V
D
I
D
(止)i
S
(止)
04737-0-009
图示 16. 止-泄漏
SD
V
D
I
D
(在)
NC
一个
04449-0-021
图示 17. 在-泄漏
04449-0-022
D
在
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
在
V
输出
V
S
V
DD
V
输出
t
在
t
止
50% 50%
90% 90%
0.1
µ
F
S2
S1
图示 18. 切换 时间, t
在
, t
止
V
输出
V
在
t
BBM
t
BBM
50% 50%
80%
0V
D
在
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
输出
V
S
V
DD
0.1
µ
F
S2
S1
80%
04449-0-023
图示 19. 破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
04449-0-024
在
地
V
DD
V
S
V
在
V
输出
1nF
V
输出
NC
sw 在
Q
INJ
= cl
×∆
V
输出
sw 止
∆
V
输出
S2
S1
D
图示 20. 承担 injection

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ADG849 rev. 0\| 页 9 的 12 测试电路 SD V1 V S R 在 = v1/i DS I DS 04737-0-008 图示 15. 在-阻抗 S D V S V D I D (止)i S (止) 04737-0-009 图示 16. 止-泄漏 SD V D I D (在) NC 一个 04449-0-021 图示 17. 在-泄漏 04449-0-022 D 在地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 在 V 输出 V S V DD V 输出 t 在 t 止 50% 50% 90% 90% 0.1 µ F S2 S1 图示 18. 切换时间, t 在 , t 止 V 输出 V 在 t BBM t BBM 50% 50% 80% 0V D 在地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 输出 V S V DD 0.1 µ F S2 S1 80% 04449-0-023 图示 19. 破裂-在之前-制造时间延迟, t BBM 04449-0-024 在地 V DD V S V 在 V 输出 1nF V 输出 NC sw 在 Q INJ = cl ×∆ V 输出 sw 止 ∆ V 输出 S2 S1 D 图示 20. 承担 injection

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