3 v/5 v cmos
0.5 Ω spdt/2:1 mux 在 sc70
ADG849
rev.
0
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特性
ultralow 在-阻抗:
0.5 Ω 典型
0.8 Ω 最大 在 5 v 供应
极好的 音频的 效能, ultralow 扭曲量:
0.13 Ω 典型
0.24 Ω 最大 r
在
flatness
高 电流 carrying 能力:
400 毫安 持续的 电流
600 毫安 顶峰 电流 在 5 v
automotive 温度 范围: –40°c 至 +125°c
栏杆-至-栏杆 运作
典型 电源 消耗量 (<0.01 µw)
管脚-兼容 upgrade 为 这 adg749 和 adg779
产品
cellular phones
PDAs
电池-powered 系统
音频的 和 video 信号 routing
Modems
pcmcia cards
hard 驱动
接转 替换
函数的 块 图解
ADG849
在
S1
S2
D
switches 显示
为 一个 逻辑 1 输入
04737-0-001
图示 1.
一般 描述
这 adg849 是 一个 大而单一的, cmos spdt (单独的 柱子, 翻倍
throw) 转变 那 运作 和 一个 供应 范围 的 1.8 v 至 5.5 v.
它 是 设计 至 提供 ultralow 在-阻抗 值 的 典型地
0.5 Ω. 这个 设计 制造 这 adg849 一个 完美的 解决方案 为
产品 那 需要 minimal 扭曲量 通过 这 转变.
这 adg849 也 有 这 能力 的 carrying 大 amounts
的 电流, 典型地 600 毫安 在 5 v 运作.
各自 转变 的 这 adg849 conducts equally 好 在 两个都
方向 当 在. 这 设备 exhibits 破裂-在之前-制造
切换 action, 因此 阻止 momentary shorting 当
切换 途径.
这 adg849 是 有 在 一个 tiny, 6-含铅的 sc70 包装, 制造
它 这 完美的 candidate 为 空间-constrained 产品.
产品 最好的部分
1.
非常 低 在-阻抗, 0.5 Ω 典型.
2.
tiny, 6-含铅的 sc70 包装.
3.
低 电源 消耗. 这 cmos 构建 确保
低 电源 消耗.
4.
高 电流 carrying 能力.
5.
低 thd + 噪音 (0.01% 典型值).
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