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512mb: x4, x8, x16 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
512msdram_d.p65
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rev. d; pub 1/02 ©2000, micron 技术, 公司
512mb: x4, x8, x16
SDRAM
进步
在之上 completion 的 一个 burst, 假设 非 其它 com-
mands 有 被 initiated, 这 dqs 将 go 高-z. 一个 全部-
页 burst 将 continue 直到 terminated. (在 这 终止 的
这 页, 它 将 wrap 至 这 开始 地址 和 continue.)
数据 从 任何 读 burst 将 是 truncated 和 一个
subsequent 读 command, 和 数据 从 一个 fixed-长度
读 burst 将 是 立即 followed 用 数据 从 一个
读 command. 在 也 情况, 一个 持续的 流动 的 数据
能 是 maintained. 这 第一 数据 元素 从 这 新
burst 跟随 也 这 last 元素 的 一个 完成 burst
或者 这 last desired 数据 元素 的 一个 变长 burst 那 是
正在 truncated. 这 新 读 command 应当 是
issued
x
循环 在之前 这 时钟 边缘 在 这个 这 last
desired 数据 元素 是 有效的, 在哪里
x
相等 这 cas
latency minus 一个. 这个 是 显示 在 图示 7 为 cas
读
读 bursts 是 initiated 和 一个 读 command, 作
显示 在 图示 5.
这 开始 column 和 bank 地址 是 提供
和 这 读 command, 和 自动 precharge 是 也
使能 或者 无能 为 那 burst 进入. 如果 自动 precharge
是 使能, 这 行 正在 accessed 是 precharged 在 这
completion 的 这 burst. 为 这 generic 读 com-
mands 使用 在 这 下列的 illustrations, 自动 precharge
是 无能.
在 读 bursts, 这 有效的 数据-输出 元素 从
这 开始 column 地址 将 是 有 下列的
这 cas latency 之后 这 读 command. 各自 subse-
quent 数据-输出 元素 将 是 有效的 用 这 next 积极的
时钟 边缘. 图示 6 显示 一般 定时 为 各自 pos-
sible cas latency 设置.
图示 5
读 command
图示 6
cas latency
CLK
DQ
T2T1 T3T0
cas latency = 3
LZ
D
输出
t
OH
t
COMMAND
NOPREAD
t
交流
NOP
T4
NOP
DON
’
t 小心
未阐明的
CLK
DQ
T2T1 T3T0
cas latency = 2
LZ
D
输出
t
OH
t
COMMAND
NOPREAD
t
交流
NOP
CS#
WE#
CAS#
RAS#
CKE
CLK
COLUMN
地址
a0-a9, a11, a12: x4
a0-a9, a11: x8
a0-a9: x16
A10
ba0,1
高
使能 自动 precharge
使不能运转 自动 precharge
BANK
地址
a12: x4
a11, a12: x8
a9, a11, a12: x16
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