AD9066
rev. 一个
–3–
绝对 最大 比率
管脚 最小值 最大值 单位
ENCODE –0.5 +V
S
V
+V
S
7.0 V
ina, inb –0.5 +V
S
V
VT 2.5 +V
S
V
ref 一个, ref b –0.5 +V
S
V
VB 0.0 +V
S
V
d0–d5 电流 输出 20 毫安
explanation 的 测试 水平
测试 水平的 描述
I 100% 生产 测试
II 100% 生产 测试 在 +25
°
c, 和
样本 测试 在 指定 温度
III 样本 测试 仅有的
IV 参数 是 有保证的 用 设计
V 参数 是 典型 值 仅有的
VI 100% 测试 在 +25
°
C
管脚 描述
ar:jr ARS
管脚 管脚
非. 非. 名字 函数
1 22 ENCODE ttl 兼容 cmos 时钟,
样本 在 rising 边缘.
223+V
S
+5 v 供应 为 数字的 输入.
3 24 地 地面.
4 25 地 地面.
526+V
S
+5 v 供应 (相似物).
6 27 INA 频道 一个 相似物 输入.
7 28 地 地面.
81+V
S
+5 v 供应 (相似物).
9 2 VT 顶 的 电压 涉及, 绕过
至 地.
10 3 ref 一个 mid 涉及 至 模数转换器 一个, 绕过
至 地.
11 4 INB 频道 b 相似物 输入.
12 5 ref b mid 涉及 至 模数转换器 b, 绕过
至 地.
13 6 VB bottom 的 涉及 ladder, 用-
通过 至 地.
14 7 NC 非 连接.
15 8 d0b (lsb) 数字的 输出 频道 b,
cmos 兼容.
16 9 D1B
17 10 D2B
18 11 D3B
19 12 D4B
20 13 d5b (msb)
21 14 +V
S
+5 v 供应 为 数字的 输出.
22 15 地 地面.
23 16 d0a (lsb) 数字的 输出 频道 一个,
cmos 兼容.
24 17 D1A
25 18 D2A
26 19 D3A
27 20 D4A
28 21 d5a (msb)
消逝 布局 和 机械的 信息
消逝 维度 . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
×
68
×
21 (
±
1) 毫英寸
垫子 维度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
×
4 毫英寸
Metalization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 铝
Backing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .毫无
基质 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 地面
晶体管 计数 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5,810
Passivation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 硅 渗氮
消逝 连结 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . silver filled
bond 线 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 金
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 ad9066 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高-活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
订货 手册
模型 温度 范围 包装 option*
AD9066AR –40
°
c 至 +85
°
C r-28
AD9066JR 0
°
c 至 +70
°
C r-28
AD9066ARS –40
°
c 至 +85
°
C rs-28
*r = “so” 小 外形 包装; rs = ssop.
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