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AO9926
典型 电的 和 热的 特性
BV
DSS
20 V
1
T
J
=55°C
5
I
GSS
100 nA
V
gs(th)
0.4 0.6 1 V
I
d(在)
15 一个
41 50
T
J
=125°C
58 70
52 63
m
Ω
67 87
m
Ω
g
FS
11 S
V
SD
0.76 1 V
I
S
2A
C
iss
436 pF
C
oss
66 pF
C
rss
44 pF
R
g
3
Ω
Q
g
6.2 nC
Q
gs
1.6 nC
Q
gd
0.5 nC
t
d(在)
5.5 ns
t
r
6.3 ns
t
d(止)
40 ns
t
f
12.7 ns
t
rr
12.3 ns
Q
rr
3.5
nC
流-源 breakdo
wI
D
=250
µ
一个, v
GS
=0V
I
DSS
零 门 电压
流 电流
V
DS
=16v, v
GS
=0V
µ
一个
门-身体 泄漏 cu
rV
DS
=0v, v
GS
=±8V
门 门槛 voltag V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
在 状态 流 电流 V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
=4.5v, i
D
=5A
m
Ω
V
GS
=2.5v, i
D
=4A
V
GS
=1.8v, i
D
=3A
向前 transconduc
t V
DS
=5v, i
D
=5A
二极管 向前 voltag
eI
S
=1a,v
GS
=0V
最大 身体-二极管 持续的 电流
动态 参数
输入 电容
V
GS
=0v, v
DS
=10v, f=1mhz
输出 电容
反转 转移 cap
一个
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
切换 参数
总的 门 承担
V
GS
=4.5v, v
DS
=10v, i
D
=5A
门 源 承担
门 流 承担
转变-在 delaytime
V
GS
=5v, v
DS
=10v, r
L
=2
Ω
,
R
GEN
=6
Ω
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
转变-止 下降 时间
身体 二极管 反转
R
I
F
=5a, di/dt=100a/
µ
s
身体 二极管 反转 r
I
F
=5a, di/dt=100a/
µ
s
0
5
10
15
20
012345
V
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
I
D
(一个)
V
GS
=1.5v
2V
2.5v
8
V
0
2
4
6
8
10
12
0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 2.8
V
gs(伏特)
图示 2: 转移 特性
I
D
(一个)
20
40
60
80
100
024681012
I
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
Ω
)
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
I
S
(一个)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=2.5v, 4a
V
GS
=4.5v, 5a
30
40
50
60
70
80
90
100
02468
V
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
Ω
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=2.5v
V
GS
=4.5v
I
D
=5A
V
GS
=1.8v, 2a
V
GS
=1.8v
25°C
125°C
3V
3.5v
4.5v
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.

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AO9926 典型电的和热的特性 BV DSS 20 V 1 T J =55°C 5 I GSS 100 nA V gs(th) 0.4 0.6 1 V I d(在) 15 一个 41 50 T J =125°C 58 70 52 63 m Ω 67 87 m Ω g FS 11 S V SD 0.76 1 V I S 2A C iss 436 pF C oss 66 pF C rss 44 pF R g 3 Ω Q g 6.2 nC Q gs 1.6 nC Q gd 0.5 nC t d(在) 5.5 ns t r 6.3 ns t d(止) 40 ns t f 12.7 ns t rr 12.3 ns Q rr 3.5 nC 流-源 breakdo wI D =250 µ 一个, v GS =0V I DSS 零门电压流电流 V DS =16v, v GS =0V µ 一个门-身体泄漏 cu rV DS =0v, v GS =±8V 门门槛 voltag V DS =V GS I D =250 µ 一个在状态流电流 V GS =4.5v, v DS =5V R ds(在) 静态的流-源在-阻抗 V GS =4.5v, i D =5A m Ω V GS =2.5v, i D =4A V GS =1.8v, i D =3A 向前 transconduc t V DS =5v, i D =5A 二极管向前 voltag eI S =1a,v GS =0V 最大身体-二极管持续的电流动态参数输入电容 V GS =0v, v DS =10v, f=1mhz 输出电容反转转移 cap 一个门阻抗 V GS =0v, v DS =0v, f=1mhz 切换参数总的门承担 V GS =4.5v, v DS =10v, i D =5A 门源承担门流承担转变-在 delaytime V GS =5v, v DS =10v, r L =2 Ω , R GEN =6 Ω 转变-在上升时间转变-止 delaytime 转变-止下降时间身体二极管反转 R I F =5a, di/dt=100a/ µ s 身体二极管反转 r I F =5a, di/dt=100a/ µ s 0 5 10 15 20 012345 V DS (伏特) 图 1: 在-区域特性 I D (一个) V GS =1.5v 2V 2.5v 8 V 0 2 4 6 8 10 12 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 2.8 V gs(伏特) 图示 2: 转移特性 I D (一个) 20 40 60 80 100 024681012 I D (一个) 图示 3: 在-阻抗 vs. 流电流和门电压 R ds(在) (m Ω ) 1.0e-05 1.0e-04 1.0e-03 1.0e-02 1.0e-01 1.0e+00 1.0e+01 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V SD (伏特) 图示 6: 身体-二极管特性 I S (一个) 25°C 125°C 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 0 25 50 75 100 125 150 175 温度 (°c) 图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面温度 normalized 在-阻抗 V GS =2.5v, 4a V GS =4.5v, 5a 30 40 50 60 70 80 90 100 02468 V GS (伏特) 图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源电压 R ds(在) (m Ω ) 25°C 125°C V DS =5V V GS =2.5v V GS =4.5v I D =5A V GS =1.8v, 2a V GS =1.8v 25°C 125°C 3V 3.5v 4.5v alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.

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