先进的 电源
n-频道 增强 模式
electronics corp.
电源 场效应晶体管
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▼▼
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低 在-阻抗
BV
DSS
40V
▼
▼▼
▼
单独的 驱动 必要条件
R
ds(在)
25m
Ω
▼
▼▼
▼
表面 挂载 包装
I
D
7A
描述
绝对 最大 比率
标识 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
D
@T
一个
=25
℃
一个
I
D
@T
一个
=70
℃
一个
I
DM
一个
P
D
@T
一个
=25
℃
W
w/
℃
T
STG
℃
T
J
℃
标识 值 单位
rthj-一个 热的 阻抗 接合面-包围的
3
最大值 62.5
℃
/w
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意
热的 数据
参数
存储 温度 范围
总的 电源 消耗 2
-55 至 150
运行 接合面 温度 范围 -55 至 150
直线的 减额 因素 0.016
持续的 流 电流
3
, v
GS
@ 10v
5.5
搏动 流 电流
1,2
20
门-源 电压
持续的 流 电流
3
, v
GS
@ 10v
7
参数 比率
流-源 电压 40
200407031
AP9962M
这 先进的 电源 mosfets 从 apec 提供 这
设计者 和 这 最好的 结合体 的 快 切换,
加固 设备 设计, 过激 低 在-阻抗 和
费用-成效.
±20
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
所以-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
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