首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:137764
 
资料名称:AP9435K
 
文件大小: 73.79K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号AP9435K的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号AP9435K的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号AP9435K的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 characteristics@t
j
=25
o
c(除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=-250ua -30 - - V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
损坏 电压 温度 系数
涉及 至 25
, i
D
=-1ma -
-0.02
-v/
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
2
V
GS
=-10v, i
D
=-5.3a - - 50
m
Ω
V
GS
=-4.5v, i
D
=-4.2a - - 100
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
, i
D
=-250ua -1 - -3 V
g
fs
向前 跨导 V
DS
=-10v, i
D
=-5.3a - 10 - S
I
DSS
流-源 泄漏 电流 (t
j
=25
o
c)
V
DS
=-30v, v
GS
=0V - - -1
uA
流-源 泄漏 电流 (t
j
=70
o
c)
V
DS
=-24v, v
GS
=0V - - -25
uA
I
GSS
门-源 泄漏 V
GS
=--
nA
Q
g
总的 门 承担
2
I
D
=-5.3a - 9.2 16
nC
Q
gs
门-源 承担 V
DS
=-24v - 2.8 -
nC
Q
gd
门-流 ("miller") 承担 V
GS
=-4.5v - 5.2 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
2
V
DS
=-15v - 11 -
ns
t
r
上升 时间 I
D
=-1a - 8 -
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 R
G
=6
Ω
,
V
GS
=-10v - 25 -
ns
t
f
下降 时间 R
D
=15
Ω
-17-
ns
C
iss
输入 电容 V
GS
=0V - 507 912
pF
C
oss
输出 电容 V
DS
=-15v - 222 -
pF
C
rss
反转 转移 电容 f=1.0mhz - 158 -
pF
源-流 二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SD
向前 在 电压
2
I
S
=-2.3a, v
GS
=0V - - -1.2 V
t
rr 反转 恢复 时间 I
S
=-5.3a,
V
GS
=0
V
, - 29 - ns
Qrr 反转 恢复 承担 di/dt=100a/µs - 20 - nC
注释:
1.脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
2.脉冲波 宽度 <
300us , 职责 循环 <2%.
3.表面 挂载 在 1 在
2
铜 垫子 的 fr4 板 ; 120
/w 当 挂载 在 最小值 铜 垫子.
AP9435K
±
25V
±
100
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com