primary 一侧 pwm 控制
AS2214
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astec 半导体
电的 特性
(内容’d)
电的 特性 是 有保证的 在 全部 接合面 温度 范围 (0 至 105
°
c). 包围的 温度 必须 是 derated
为基础 在 电源 消耗 和 包装 热的 特性. 除非 否则 指定, 这 情况 的 测试 是 v
CC
= 15 v;
bok = 3 v; ov = 0v; r
T
= 680
Ω
; c
T
= 10 nf. 至 override uvlo, v
CC
应当 是 raised 在之上 18 v 较早的 至 测试.
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
Housekeeping
bok uv 门槛 V
BOK
UV V
REG
= 5 v 2.500 2.537 2.575 V
bok uv hysteresis 电流 I
hyst bok
V
BOK
= 2.6 v 42 50 58
µ
一个
bok 输入 偏差 电流 I
止 bok
V
BOK
= 2.4 v 0.1 1.0
µ
一个
ov 门槛 V
OV
2.50 2.80 3.10 V
ov clear 门槛 V
OVH
3.80 4.00 4.50 V
ov 重置 门槛 V
OVL
1.10 1.75 2.20 V
ov 偏差 电流 I
偏差 ov
V
REG
= 5 v, v
OV
≤
ov 门槛 -1 -0.2 1
µ
一个
* 为 vov > ov 重置 门槛,
看 典型的 曲线
acp 电压 V
ACP
I
ACP
= 10
µ
一个 1.3 V
acp 电压 V
ACP
I
ACP
= -10
µ
一个 -1.2 V
len 承担 电流 I
LEN
I
ACP
= 10
µ
一个; v
LEN
= 0 v -30 -45 -65
µ
一个
len 承担 电流 I
LEN
I
ACP
= -10
µ
一个; v
LEN
= 0 v -30 -50 -65
µ
一个
最小 电压 为 len V
len 最小值
3.6 4.5 V
符合实际
len 逻辑 重置 电压 V
LEN
这个 水平的 reflects 一个 二极管 漏出 的 3.0 V
hysteresis 从 v
len 最小值
len regeneration 电流 I
LENrgn
-10
µ
一个
len clamp V
LEN
I
ACP
= 5
µ
一个 5.2 5.9 6.6 V
len 偏差 电流 I
偏差 len
V
LEN
= 5 v, i
ACP
= 0
µ
A8
µ
一个
* 为 len 输入 电流 在 全部
范围, 看 典型的 曲线.
电流 sense 比较器
转移 增益 AV
ISNS
-0.2
≤
V
ISNS
≤
0.8 v 2.85 3.00 3.15 v/v
I
SNS
水平的 变换 V
LS
V
ISNS
= 0 v 1.50 V
最大 输入 信号 V
竞赛
=+5 v 1.00 1.08 1.20 V
电源 供应 拒绝 比率 PSRR 12
≤
V
CC
≤
18 v 70 dB
输入 偏差 电流 I
偏差
-1 -10
µ
一个
传播 延迟 至 输出 t
铅
85 150 ns
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