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资料编号:142993
 
资料名称:AT41511
 
文件大小: 103.88K
   
说明
 
介绍:
General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor
 
 


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4-136
图示 9. 在-41511 和 在-41533
P
1dB
vs. 频率 和 偏差 在
V
CE
=␣ 8␣ v, 和 最优的 tuning.
图示 8. 在-41511 和 在-41533
P
1dB
vs. 频率 和 偏差 在
V
CE
=␣ 5␣ v, 和 最优的 tuning.
图示 7. 在-41511 和 在-41533
P
1dB
vs. 频率 和 偏差 在
V
CE
=␣ 2.7␣ v, 和 最优的 tuning.
P
1 db
(dbm)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.6
1.1
25 毫安
10 毫安
5 毫安
P
1 db
(dbm)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.6
1.1
25 毫安
10 毫安
5 毫安
P
1 db
(dbm)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.6
1.1
25 毫安
10 毫安
5 毫安
在-41511, 在-41533 典型 效能
图示 2. 在-41511 和 在-41533
最小 噪音 图示 vs. 频率
和 电流 在 v
CE
= 5 v.
图示 1. 在-41511 和 在-41533
最小 噪音 图示 vs. 频率
和 电流 在 v
CE
= 2.7 v.
图示 3. 在-41511 和 在-41533
最小 噪音 图示 vs. 频率
和 电流 在 v
CE
= 8 v.
噪音 图示 (db)
0.1
3.0
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
2.5
1.5
0.5
1.6
2.0
1.0
1.1
25 毫安
10 毫安
2, 5 毫安
噪音 图示 (db)
0.1
3.0
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
2.5
1.5
0.5
1.6
2.0
1.0
1.1
25 毫安
10 毫安
5 毫安
噪音 图示 (db)
0.1
3.0
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
2.5
1.5
0.5
1.6
2.0
1.0
1.1
25 毫安
2 毫安
10 毫安
5 毫安
G
一个
pkg 11 (db)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.61.1
20
15
10
G
一个
pkg 33 (db)
pkg 11
pkg 33
25
5
10, 25 毫安
2 毫安
5 毫安
2 毫安
5 毫安
10, 25 毫安
图示 6. 在-41511 和 在-41533
有关联的 增益 vs. 频率 和
电流 在 v
CE
= 8 v.
图示 5. 在-41511 和 在-41533
有关联的 增益 vs. 频率 和
电流 在 v
CE
= 5 v.
图示 4. 在-41511 和 在-41533
有关联的 增益 vs. 频率 和
电流 在 v
CE
= 2.7 v.
G
一个
(db)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.6
1.1
pkg 11
pkg 33
10, 25 毫安
5 毫安
10, 25 毫安
5 毫安
G
一个
(db)
0.1
20
0
频率 (ghz)
0.6 2.1 2.6
15
10
5
1.6
1.1
pkg 11
pkg 33
10, 25 毫安
5 毫安
10, 25 毫安
5 毫安
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