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资料编号:148038
 
资料名称:ISL6539CAZ-T
 
文件大小: 503.79K
   
说明
 
介绍:
Wide Input Range Dual PWM Controller with DDR Option
 
 


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fn9144.4
六月 6, 2005
为 这 vtt 频道 在哪里 output 是 获得 从 这 vddq
输出, 一些 控制 和 protective 功能 有 被
significantly simplified. 为 例子, 这 overcurrent, 和
超(电)压, 和 欠压 protections 为 这 第二
频道 控制 是 无能 当 这 ddr 管脚 是 设置
高. 作 这 vtt 频道 轨道 这 vddq/2 电压, 这
软-开始 函数 是 不 必需的, 和 这 soft2 管脚 将 是
left 打开, 在 这 事件 两个都 途径 是 使能
同时发生地. 不管怎样, 如果 这 vtt 频道 是 使能 后来的
比 这 vddq, 这 soft2 管脚 必须 有 一个 电容 在
放置 至 确保 软-开始. 在 情况 的 overcurrent 或者
欠压 造成 用 短的 电路 在 vtt, 这 故障 电流
将 propagate 至 这 第一 频道 和 shut 向下 这
转换器.
这 vref 电压 将 是 呈现 甚至 如果 这 vtt 是
无能.
频道 同步 在 ddr 产品
这 存在 的 二 pwm 控制者 在 这 一样 消逝
需要 频道 同步, 至 减少 inter-频道
干扰 那 将 导致 这 职责 因素 jitter 和
增加 输出 波纹.
这 pwm 控制 是 在 greatest 噪音 susceptibility 当
一个 错误 信号 在 这 输入 的 这 pwm 比较器
approaches 这 decision-制造 要点. false triggering 将
出现, 造成 jitter 和 影响 这 输出 规章制度.
一个 一般 approach 使用 至 同步 双 频道
转换器 是 输出-的-阶段运作. 输出-的-阶段
运作 减少 输入 电流 波纹 和 提供 一个
最小 干扰 为 channels 那 控制 不同的
电压 水平.
当 使用 在 一个 ddr 应用 和 倾泻 转换器
(vtt 发生 从 vddq), 一些 方法 的
同步 是 执行 在 这 isl6539. 当 这
ddr 管脚 是 连接 至 地 为 双 切换器 产品,
这 途径 运作 180° 输出-的-阶段. 在 这 ddr 模式,
当 这 ddr 管脚 是 连接 至 vcc, 这 途径
运作 也 和 0° 阶段 变换, 当 这 vin 管脚 是
连接 至 这 地,或者 和 90° 阶段 变换 如果 这 vin 管脚
是 连接 至 一个 电压 高等级的 比 4.2v.
这 下列的 表格 lists 这 不同的 同步
schemes 和 它们的 用法:
应用 信息
设计 程序
一般
一个 陶瓷的 解耦 电容 应当 是 使用 在 这
vcc 和 地 管脚 的 这 碎片. 那里 是 三 主要的
电流 描绘 从 这 解耦 电容:
1. 这 安静的 电流, 支承的 这 内部的 逻辑 和
正常的 运作 的 这 ic
2. 这 门 驱动器 电流 为 这 更小的 mosfets
3. 和 这 电流 going 通过 这 外部 二极管 至 这
自举 电容 为 upper 场效应晶体管.
在 顺序 至 减少 这 嘈杂的 效应 的 这 自举 电容
电流 至 这 ic, 一个 small 电阻, 此类 作 10
, 能 是 使用
和 这 解耦 cap 至 construct 一个 低 通过 过滤 为 这
ic, 作 显示 在 图示 9.
这 软-开始 电容 和 这 电阻 分隔物 设置 这
输出 电压 是 容易 至 select 作 discussed 在 这 “block
diagram” 在 页 8.
选择 的 这 电流 sense 电阻
这 值 的 这 电流 sense电阻 确定 这 增益
的 这 电流 感觉到 电路. 它 affects 这 电流 循环 增益
和 这 overcurrent 保护选点. 这 电压 漏出 在
这 更小的 场效应晶体管 是 sensed在里面 400ns 之后 这 upper
场效应晶体管 是 转变 止. 这 电流 sense 管脚 有 一个 140
电阻 在 序列 和 这 外部 电流 感觉到 电阻.
这 电流 sense 管脚 能 源 向上 至 一个 260µa 电流
当 感觉到 电流 在 这 更小的 场效应晶体管, 在 此类 一个 方法
那 这 电压 漏出 在 这 电流 感觉到 path 将
equal 至 这 电压 在 这 场效应晶体管.
I
D
能 是 assumed 至 是 这 inductor 顶峰 电流. 在 一个
DSON
可以
增加 至 150% 的 这 房间 温度 水平的. 在
超载 情况, 这 场效应晶体管 流 电流 i
D
可以 是
130% 高等级的 比 这 正常的 inductor 顶峰. 如果 这 inductor
有 30% 顶峰-至-顶峰 波纹, i
D
将 equal 至 115% 的 这
加载 电流. 这 设计 应当 考虑 这 在之上 factors
所以 那 这 最大 i
SOURCING
将 不 使湿透 至 260µa
SOURCING
应当
是 较少 比 100µa 在 正常的 运作 在 房间
温度. 这 formula 在 这 早期 discussion 假设
ddr 管脚 vin 管脚 同步
0 vin 管脚 >4.2v 180°
输出 的 阶段
1 vin 管脚 电压 <4.2v 0° 阶段
1 vin 管脚 电压 >4.1v 90° 阶段 变换
10
VCC
至 激励
5V
图示 9. 输入 过滤 为 这 碎片
I
SOURCING
140
R
CS
+
()
I
D
r
DS
()
=
ISL6539
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