smart 3 先进的 激励 块
E
12
初步的
当 v
PP
< v
PPLK
, 这 设备 将 仅有的 execute 这
下列的 commands successfully: 读 排列,
读 状态 寄存器, clear 状态 寄存器 和
读 identifier. 这 设备 提供 标准
可擦可编程只读存储器 读, 备用物品 和 输出 使不能运转
行动. 生产者 identification 和 设备
identification 数据 能 是 accessed 通过 这
cui. 所有 功能 有关联的 和 altering 记忆
内容, namely 程序 和 擦掉, 是
accessible 通过 这 cui. 这 内部的 写 状态
机器 (wsm) 完全地 automates 程序
和 擦掉 行动 当 这 cui 信号 这 开始
的 一个 运作 和 这 状态 寄存器 reports
状态. 这 cui handles 这 we# 接口 至 这
数据 和 地址 latches, 作 好 作系统 状态
requests 在 wsm 运作.
3.1 总线 运作
smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
设备 读, 程序 和 擦掉 在-系统 通过 这
local cpu 或者 微控制器. 所有 总线 循环 至 或者
从 这 flash 记忆 遵从 至 标准
微控制器 总线 循环. 四 控制 管脚 dictate
这 数据 流动 在 和 输出 的 这 flash 组件:
ce#, oe#, we# 和 rp#. 这些 总线 行动
是 summarized 在 表格 3.
表格 3. 总线 行动
(1)
模式 便条 RP# CE# OE# WE# DQ
0
–7
DQ
8–15
读 (排列, 状态, 或者
identifier)
2
–4 V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
D
输出
D
输出
输出 使不能运转 2 V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
高 z 高 z
备用物品 2 V
IH
V
IH
X X 高 z 高 z
重置 2, 7 V
IL
X X X 高 z 高 z
写 2, 5–7 V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
在
D
在
注释:
1. 8-位 设备 使用 仅有的 dq[0:7], 16-位 设备 使用 dq[0:15]
2. x 必须 是 v
IL
, v
IH
为 控制 管脚 和 地址.
3. 看
直流 特性
为 v
PPLK
, v
PP1
, v
PP2
, v
PP3
, v
PP4
电压.
4. 生产者 和 设备 代号 将 也 是 accessed 在 读 identifier 模式 (一个
1
–A
21
= 0). 看 表格 4.
5. 谈及 至 表格 6 为 有效的 d
在
在 一个 写 运作.
6. 至 程序 或者 擦掉 这 lockable blocks, 支撑 wp# 在 v
IH
.
7. rp# 必须 是 在 地
±
0.2 v 至 满足 这 最大 深的 电源-向下 电流 指定.
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