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1995 sep 26 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn video 晶体管 BFQ131
热的 特性
便条
1. T
s
= 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至
焊接 要点
向上 至 t
s
=60
°
c; 便条 1; p
tot
= 1.9 W 60 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 0.1 毫安; i
E
=0 25
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 0.1 毫安; i
B
=0 18
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 0.1 毫安; i
C
=0 2
−−
V
I
CES
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
= 18 v; v
是
=0
−−
1
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 25 毫安; v
CE
=10v;
看 图.3
25
−
f
T
转变 频率 I
C
= 100 毫安; v
CE
=10v;
f = 500 mhz; 看 图.4
−
4
−
GHz
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 10 v; f = 1 mhz;
看 图.5
−
1.2
−
pF

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1995 sep 26 4 飞利浦半导体产品规格 npn video 晶体管 BFQ131 热的特性便条 1. T s = 这温度在这焊接要点的这集电级管脚. 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况值单位 R th j-s 热的阻抗从接合面至焊接要点向上至 t s =60 ° c; 便条 1; p tot = 1.9 W 60 k/w 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)cbo 集电级-根基损坏电压 I C = 0.1 毫安; i E =0 25 −− V V (br)ceo 集电级-发射级损坏电压 I C = 0.1 毫安; i B =0 18 −− V V (br)ebo 发射级-根基损坏电压 I E = 0.1 毫安; i C =0 2 −− V I CES 集电级-发射级截-止电流 V CE = 18 v; v 是 =0 −− 1 µ 一个 h FE 直流电流增益 I C = 25 毫安; v CE =10v; 看图.3 25 − f T 转变频率 I C = 100 毫安; v CE =10v; f = 500 mhz; 看图.4 − 4 − GHz C re 反馈电容 I C = 0; v CE = 10 v; f = 1 mhz; 看图.5 − 1.2 − pF

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