2000 三月 14 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 BFR505T
特性
•
低 电流 消耗量
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性
•
sot416 (sc-75) 包装.
产品
低 电源 放大器, oscillators 和
mixers 特别 在 rf 可携带的
交流 设备 (cellular
phones, cordless phones 和 pagers)
向上 至 2 ghz.
描述
npn 晶体管 在 一个 塑料 sot416
(sc-75) 包装.
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
fpage
12
3
MBK090
顶 视图
图.1 sot416.
标记 代号:
n0.
快 涉及 数据
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 60134).
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
直流 集电级 电流
−−
18 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
75
°
c; 便条 1
−−
150 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
=6v; t
j
=25
°
C 60 120 250
f
T
转变 频率 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益 I
C
= 5 毫安; V
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
17
−
dB
F 噪音 figure I
C
= 1.25 毫安; v
CE
=6v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.2 1.7 dB
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
20 V
V
CE
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−
15 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
2.5 V
I
C
直流 集电级 电流
−
18 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
75
°
c; 便条 1
−
150 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C