2000 三月 14 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 BFR505T
特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
2. I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; r
L
=50
Ω
; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
c; f
p
= 900 mhz; f
q
= 902 mhz; 量过的 在
f
(2p-q)
= 898 mhz 和 在 f
(2q-p)
= 904 mhz.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=6V
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 V 60 120 250
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=6v; f=1mhz
−
0.4
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
0.4
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
0.3
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益;
便条 1
I
C
= 5 毫安; v
CE
=6v; t
amb
=25
°
c;
f = 900 MHz
−
17
−
dB
f = 2 GHz
−
10
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
13 14
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 1.25 毫安; v
CE
=6v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.2 1.7 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
=6v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.6 2.1 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 1.25 毫安; v
CE
=6v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
1.9
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 5 毫安; v
CE
=6v; r
L
=50
Ω
;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
4
−
dBm
ITO 第三-顺序 intercept 要点 便条 2
−
10
−
dBm
G
UM
10 log
S
21
2
1S
11
2
–
()
1S
22
2
–
()
----------------------------------------------------------
dB
=
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