九月 1992 6
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 mos 晶体管 BLF147
应用 信息 为 类-ab 运作
T
h
= 25
°
c; R
th mb-h
= 0.2 k/w; R
GS
= 9.8
Ω;
除非 否则 specified.
rf 效能 在 ssb 运作 在 一个 一般 源 类-ab 电路.
f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
注释
1. 最佳的 加载 阻抗: 2.1 + j0
Ω
.
2. 陈述 计算数量 是 最大 值 encountered 在 任何 驱动 水平的 在 这 指定 值 的 pep 和 是
涉及 至 这 符合 水平的 的 也 这 equal amplified tones. related 至 这 符合 顶峰 封套 电源
这些 计算数量 应当 是 decreased 用 6 db.
P
L
(w)
f
(mhz)
V
DS
(v)
I
DQ
(一个)
G
p
(db)
η
D
(%)
d
3
(db)
(便条
2
)
d
5
(db)
(便条
2
)
20 至 150 (pep) 28 28 1
>
17
典型值 19
>
35
典型值 40
<−
30
典型值
−
34
<−
30
典型值
−
40
强壮 在 类-ab 运作
这 blf147 是 有能力 的 承受 一个 加载 mismatch
相应的 至 vswr = 50 通过 所有 阶段 下面 这
下列的 情况:
V
DS
= 28 v; f = 28 mhz 在 评估 加载 电源.
图.9 增益 作 一个 函数 的 加载 电源, 典型
值.
类-ab 运作; v
DS
= 28 v; i
DQ
= 1 一个;
R
GS
= 9.8
Ω
; f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
handbook, halfpage
0 200
30
10
MGP053
20
100
P
L
(w) pep
G
p
(db)
图.10 效率 作 一个 函数 的 加载 电源,
典型 值.
类-ab 运作; v
DS
= 28 v; i
DQ
= 1 一个;
R
GS
= 9.8
Ω
; f
1
= 28.000 mhz; f
2
= 28.001 mhz.
handbook, halfpage
0
60
40
20
0
100 200
MGP054
η
D
(%)
P
L
(w) pep
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