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数据 薄板  v1.0 5 2003-01-10
HITFET

BSP 75N
电的 特性
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 sym-
bol
限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流 源 clamp 电压
V
ds(az)
60
–
75 V
I
D
= 10 毫安,
T
j
= -40
…
+150
°
C
止 状态 流 电流
I
DSS
––
5
µ
一个
V
在
= 0 v,
V
DS
= 32 v,
T
j
= -40
…
+150
°
C
输入 门槛 电压
V
在(th)
11.82.5v
I
D
= 10 毫安
输入 电流:
正常的 运作,
I
D
<
I
d(lim)
:
电流 限制 模式,
I
D
=
I
d(lim)
:
之后 热的 关闭,
I
D
= 0 一个:
I
在(1)
I
在(2)
I
在(3)
–
–
1000
100
250
1500
200
400
2000
µ
一个
V
在
= 5 v
在-状态 阻抗
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
R
ds(在)
–
–
490
850
675
1350
m
Ω
I
D
= 0.7 一个,
V
在
= 5 v
在-状态 阻抗
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
R
ds(在)
–
–
430
750
550
1000
m
Ω
I
D
= 0.7 一个,
V
在
= 10 v
名义上的 加载 电流
I
d(nom)
0.7
––
一个
V
BB
= 12 v,
V
DS
= 0.5 v,
T
S
= 85
°
c,
T
j
< 150
°
C
电流 限制
I
d(lim)
11.51.9a
V
在
= 10 v,
V
DS
= 12 v
动态 特性
1)
转变-在 时间
V
在
至 90%
I
D
:
t
在
–
10 20
µ
s
R
L
= 22
Ω
,
V
在
= 0 至 10 v,
V
BB
= 12 v
转变-止 时间
V
在
至 10%
I
D
:
t
止
–
10 20
µ
s
R
L
= 22
Ω
,
V
在
= 10 至 0 v,
V
BB
= 12 v

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数据薄板 v1.0 5 2003-01-10 HITFET  BSP 75N 电的特性 T j = 25 ° c, 除非否则指定参数 sym- bol 限制值单位测试情况最小值典型值最大值静态的特性流源 clamp 电压 V ds(az) 60 – 75 V I D = 10 毫安, T j = -40 … +150 ° C 止状态流电流 I DSS –– 5 µ 一个 V 在 = 0 v, V DS = 32 v, T j = -40 … +150 ° C 输入门槛电压 V 在(th) 11.82.5v I D = 10 毫安输入电流: 正常的运作, I D < I d(lim) : 电流限制模式, I D = I d(lim) : 之后热的关闭, I D = 0 一个: I 在(1) I 在(2) I 在(3) – – 1000 100 250 1500 200 400 2000 µ 一个 V 在 = 5 v 在-状态阻抗 T j = 25 ° C T j = 150 ° C R ds(在) – – 490 850 675 1350 m Ω I D = 0.7 一个, V 在 = 5 v 在-状态阻抗 T j = 25 ° C T j = 150 ° C R ds(在) – – 430 750 550 1000 m Ω I D = 0.7 一个, V 在 = 10 v 名义上的加载电流 I d(nom) 0.7 –– 一个 V BB = 12 v, V DS = 0.5 v, T S = 85 ° c, T j < 150 ° C 电流限制 I d(lim) 11.51.9a V 在 = 10 v, V DS = 12 v 动态特性 1) 转变-在时间 V 在至 90% I D : t 在 – 10 20 µ s R L = 22 Ω , V 在 = 0 至 10 v, V BB = 12 v 转变-止时间 V 在至 10% I D : t 止 – 10 20 µ s R L = 22 Ω , V 在 = 10 至 0 v, V BB = 12 v

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