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资料编号:180669
资料名称:
BSP125
文件大小: 119.23K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-02-26
页 4
rev. 1.0
BSP125
1 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
一个
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
一个
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
W
1.9
BSP125
P
tot
2 流 电流
I
D
=
f
(
T
一个
)
参数:
V
GS
≥
10 v
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
一个
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
一个
0.13
BSP125
I
D
3 safe 运行 范围
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数 :
D
= 0 ,
T
一个
= 25
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
一个
BSP125
I
D
R
ds(在)
=
V
DS
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
t
p
= 270.0
µs
4 瞬时 热的 阻抗
Z
thJA
=
f
(
t
p
)
参数 :
D
=
t
p
/
T
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
k/w
BSP125
Z
thJC
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
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