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资料编号:180669
 
资料名称:BSP125
 
文件大小: 119.23K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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2003-02-26
页 5
rev. 1.0
BSP125
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
T
j
= 25 °c,
V
GS
0 1 2 3 4 5 6 7 8
V
10
V
DS
0
0.05
0.1
0.15
0.2
一个
0.3
I
D
10V
6.0v
5.0v
4.0v
3.8v
3.6v
3.2v
3.0v
2.8v
2.6v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j= 25 °c,
V
GS
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
一个
0.5
I
D
0
20
40
60
100
R
ds(在)
2.6v
2.8v
3.0v
3.2v
3.6v
4.0v
5.0v
6.0v
10V
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
T
j= 25 °c
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
V
5
V
GS
0
0.1
0.2
0.3
一个
0.5
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
)
参数:
T
j= 25 °c
0 0.1 0.2 0.3
一个
0.5
I
D
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
S
0.4
g
fs
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