april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP206
比率
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm; 挂载 垫子 为 这 流 含铅的 最小值
6cm
2
.
特性
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
流-源 电压
−
V
DS
最大值 60 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流)
−
I
D
最大值 350 毫安
流 电流 (顶峰)
−
I
DM
最大值 700 毫安
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=25
°
c (便条 1) P
tot
最大值 1.5 W
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
th j-一个
= 83.3 k/w
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
流-源 损坏 电压
−
I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0
−
V
(br)dss
最小值 60 V
流-源 泄漏 电流
−
V
DS
= 48 v; v
GS
=0
−
I
DSS
最大值 1.0
µ
一个
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
=0
±
I
GSS
最大值 100 nA
门 门槛 电压
−
I
D
= 1 毫安; V
DS
=V
GS
−
V
gs(th)
最小值
最大值
1.5
3.5
V
V
流-源 在-阻抗
−
I
D
= 200 毫安;
−
V
GS
=10V
R
ds(在)
典型值
最大值
4.5
6
Ω
Ω
转移 admittance
−
I
D
= 200 毫安;
−
V
DS
=15V
Y
fs
最小值
典型值
100
200
mS
mS
输入 电容 在 f = 1 mhz;
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0
C
iss
典型值
最大值
55
70
pF
pF
输出 电容 在 f = 1 mhz;
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0
C
oss
典型值
最大值
30
45
pF
pF
反馈 电容 在 f = 1 mhz;
−
V
DS
= 10 v; v
GS
=0
C
rss
典型值
最大值
8
12
pF
pF
切换 时间 (看 figs 2 和 3)
−
I
D
= 200 毫安;
−
V
DD
=50v;
典型值
最大值
4
8
ns
ns
−
V
GS
= 0 至 10 V t
在
t
止
典型值
最大值
15
25
ns
ns