BSP206_集成电路资料查询网

april 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP206
图.6 输出 特性; t
j
=25
°
c; 典型
值.
handbook, halfpage
0
−
10
−
1
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
2
−
4
−
6
I
D
(一个)
−
8
MDA758
V
DS
(v)
V
GS
=
−
10 v
−
7.5 v
−
6 v
−
5 v
−
4.5 v
图.7  电源 减额 曲线.
handbook,
0 50 100 200
2
0
1.6
150
1.2
0.8
0.4
MBB693
P
tot
(w)
T
amb
(
°
c)
图.8
在
−
200 毫安/
−
10 v; 典型 值
k
R
ds(在)
在 T
j
R
ds(在)
在 25
°
C
-----------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
3
0.5
2.5
100
2
1.5
1
MDA759
图.9
−
V
gs(th)
在
−
1 毫安; 典型 值.
k
V
–
GS (th)
在 T
j
V
–
GS (th)
在 25
°
C
----------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
1.2
0.7
1.1
100
1
0.9
0.8
MDA760

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april 1995 5 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP206 图.6 输出特性; t j =25 ° c; 典型值. handbook, halfpage 0 − 10 − 1 0 − 0.2 − 0.4 − 0.6 − 0.8 − 2 − 4 − 6 I D (一个) − 8 MDA758 V DS (v) V GS = − 10 v − 7.5 v − 6 v − 5 v − 4.5 v 图.7 电源减额曲线. handbook, 0 50 100 200 2 0 1.6 150 1.2 0.8 0.4 MBB693 P tot (w) T amb ( ° c) 图.8 在 − 200 毫安/ − 10 v; 典型值 k R ds(在) 在 T j R ds(在) 在 25 ° C ----------------------------------------- ; = handbook, halfpage − 50 0 50 k T j ( ° c) 150 3 0.5 2.5 100 2 1.5 1 MDA759 图.9 − V gs(th) 在 − 1 毫安; 典型值. k V – GS (th) 在 T j V – GS (th) 在 25 ° C ---------------------------------------------- ; = handbook, halfpage − 50 0 50 k T j ( ° c) 150 1.2 0.7 1.1 100 1 0.9 0.8 MDA760

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