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april 1995 7
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP130
图.12 温度 系数 的 流-源
在-阻抗.
典型 r
ds(在)
;
(1) i
D
= 250 毫安; v
GS
=10v.
(2) I
D
= 20 毫安; v
GS
= 2.4 v.
k
R
ds(在)
在 T
j
R
ds(在)
在 25
°
C
-----------------------------------------=
handbook, halfpage
−
50 0
(1)
(2)
50
k
T
j
(
°
c)
150
2.5
0
2
100
1.5
1
0.5
MRC215
图.13 温度 系数 的 门-源
门槛 电压.
典型 v
gs(th)
在 1 毫安.
k
V
gs(th)
在 T
j
V
gs(th)
在 25
°
C
------------------------------------------
.
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
1.25
0
1
100
0.75
0.5
0.25
MRC216

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april 1995 7 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP130 图.12 温度系数的流-源在-阻抗. 典型 r ds(在) ; (1) i D = 250 毫安; v GS =10v. (2) I D = 20 毫安; v GS = 2.4 v. k R ds(在) 在 T j R ds(在) 在 25 ° C -----------------------------------------= handbook, halfpage − 50 0 (1) (2) 50 k T j ( ° c) 150 2.5 0 2 100 1.5 1 0.5 MRC215 图.13 温度系数的门-源门槛电压. 典型 v gs(th) 在 1 毫安. k V gs(th) 在 T j V gs(th) 在 25 ° C ------------------------------------------ . = handbook, halfpage − 50 0 50 k T j ( ° c) 150 1.25 0 1 100 0.75 0.5 0.25 MRC216

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