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资料编号:181721
资料名称:
MMBT5551LT1G
文件大小: 97.56K
说明
:
介绍
:
High Voltage Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mmbt5550lt1, mmbt5551lt1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识
最小值
最大值
单位
止 特性
集电级
−
发射级 损坏 电压 (便条 3)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
MMBT5550
MMBT5551
V
(br)ceo
140
160
−
−
Vdc
集电级
−
根基 损坏 电压
(i
C
= 100
模数转换器, i
E
= 0)
MMBT5550
MMBT5551
V
(br)cbo
160
180
−
−
Vdc
发射级
−
根基 损坏 电压
(i
E
= 10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
6.0
−
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0)
MMBT5550
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0)
MMBT5551
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c)
MMBT5550
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c)
MMBT5551
I
CBO
−
−
−
−
100
50
100
50
nAdc
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 4.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
−
50
nAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
MMBT5550
MMBT5551
h
FE
60
80
60
80
20
30
−
−
250
250
−
−
−
集电级
−
发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc)
两个都 类型
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc)
MMBT5550
MMBT5551
V
ce(sat)
−
−
−
0.15
0.25
0.20
Vdc
根基
−
发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc)
两个都 类型
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc)
MMBT5550
MMBT5551
V
是(sat)
−
−
−
1.0
1.2
1.0
Vdc
集电级 发射级 cut−off
(v
CB
= 10 v)
两个都 类型
(v
CB
= 75 v)
I
CES
−
−
50
100
nA
3.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
s, 职责 循环 = 2.0%.
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