飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2520DX
图.7. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
是
sat = f (i
B
); 参数 i
C
图.8. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CE
sat = f (i
B
); 参数 i
C
图.9. 典型 转变-止 losses.
T
j
= 85˚c
eoff = f (i
B
); 参数 i
C
; 参数 频率
图.10. 典型 集电级 存储 和 下降 时间.
ts = f (i
B
); tf = f (i
B
); 参数 i
C
; t
j
= 85˚c; f = 16 khz
图.11. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25˚c
= f (t
hs
)
图.12. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-hs
= f(t); 参数 d = t
p
/t
0 1 2 3 4
ib / 一个
vbesat / v
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
tj = 25 c
tj = 125 c
IC=
8 一个
6 一个
5 一个
4 一个
0.1 1 10
ib / 一个
ts, tf / 美国
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ts
tf
ic =
6 一个
5 一个
0.1 1 10
ib / 一个
vcesat / v
10
1
0.1
tj = 25 c
tj = 125 c
ic = 4 一个
5 一个
6 一个
8 一个
0 20 40 60 80 100 120 140
ths / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
和 散热器 复合
0.1 1 10
ib / 一个
eoff / uj
1000
100
10
ic = 6 一个
5 一个
1e-06 1e-04 1e-02 1E+00
t / s
zth / (k/w)
d = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
10
1
0.1
0.01
0.001
九月 1997 4 rev 2.300
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