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飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU4530AL
图.3.   切换 时间 波形.
图.4.   切换 时间 定义.
图.5.   切换 时间 测试 电路
.
图.6.   高 和 低 直流 电流 增益.
图.7.   高 和 低 直流 电流 增益.
图.8.   典型 根基-发射级 饱和 电压.
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
32us
13us10us
t
t
t
晶体管
二极管
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
- - -tj = 85 c
tj = 25 c
vce = 1v
ic / 一个
hFE
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90 %
10 %
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IC
IB
t
t
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0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
- - -tj = 85 c
tj = 25 c
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ic / 一个
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调整 为 icsat
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01234
0.6
0.7
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0.9
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ib / 一个
- - -ths = 85 c
ths = 25 c
ic = 8 一个
ic = 10 一个
april 1999 3 rev 1.100

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飞利浦半导体产品规格硅 diffused 电源晶体管 BU4530AL 图.3. 切换时间波形. 图.4. 切换时间定义. 图.5. 切换时间测试电路 . 图.6. 高和低直流电流增益. 图.7. 高和低直流电流增益. 图.8. 典型根基-发射级饱和电压. IC IB VCE ICsat IBend 32us 13us10us t t t 晶体管二极管 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 - - -tj = 85 c tj = 25 c vce = 1v ic / 一个 hFE ICsat 90 % 10 % tf ts IB1 IC IB t t - ib2 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 - - -tj = 85 c tj = 25 c vce = 5v ic / 一个 hFE + 150 v 名义上的调整为 icsat Lc Cfb t.u.t. LB IBend -vbb 01234 0.6 0.7 0.8 0.9 1 vbesat /v ib / 一个 - - -ths = 85 c ths = 25 c ic = 8 一个 ic = 10 一个 april 1999 3 rev 1.100

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