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©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bu407/407h
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 330 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 150 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 (直流) 7 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) 10 一个
I
B
根基 电流 4 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 60 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= 330v, v
是
= 0
V
CE
= 200v, v
是
= 0
V
CE
= 200v, v
是
= 0 @ t
C
= 150
°
C
5
100
1
毫安
µ
一个
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
是
= 6v, i
C
= 0 1 毫安
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压
: bu407
: bu407h
I
C
= 5a, i
B
= 0.5a
I
C
= 5a, i
B
= 0.8a
1
1
V
V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压
: bu407
: bu407h
I
C
= 5a, i
B
= 0.5a
I
C
= 5a, i
B
= 0.8a
1.2
1.2
V
V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 10v, i
C
= 0.5a 10 MHz
t
止
转变 止 时间
: bu407
: bu407h
I
C
= 5a, i
B
= 0.5a
I
C
= 5a, i
B
= 0.8a
0.75
0.4
µ
s
µ
s
bu407/407h
高 电压 切换
• 使用 在 horizontal deflection 输出 平台
1.根基    2.集电级    3.发射级
1
至-220

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©2000 仙童半导体国际的 rev. 一个, 二月 2000 bu407/407h npn 外延的硅晶体管绝对最大比率 T C =25 ° c 除非否则指出电的特性 T C =25 ° c 除非否则指出标识参数值单位 V CBO 集电级-根基电压 330 V V CEO 集电级-发射级电压 150 V V EBO 发射级-根基电压 6 V I C 集电级电流 (直流) 7 一个 I CP 集电级电流 (脉冲波) 10 一个 I B 根基电流 4 一个 P C 集电级消耗 (t C =25 ° c) 60 W T J 接合面温度 150 ° C T STG 存储温度 - 65 ~ 150 ° C 标识参数测试情况最小值最大值单位 I CES 集电级截-止电流 V CE = 330v, v 是 = 0 V CE = 200v, v 是 = 0 V CE = 200v, v 是 = 0 @ t C = 150 ° C 5 100 1 毫安 µ 一个毫安 I EBO 发射级截-止电流 V 是 = 6v, i C = 0 1 毫安 V CE (sat) 集电级-发射级饱和电压 : bu407 : bu407h I C = 5a, i B = 0.5a I C = 5a, i B = 0.8a 1 1 V V V 是 (sat) 根基-发射级饱和电压 : bu407 : bu407h I C = 5a, i B = 0.5a I C = 5a, i B = 0.8a 1.2 1.2 V V f T 电流增益带宽产品 V CE = 10v, i C = 0.5a 10 MHz t 止转变止时间 : bu407 : bu407h I C = 5a, i B = 0.5a I C = 5a, i B = 0.8a 0.75 0.4 µ s µ s bu407/407h 高电压切换 • 使用在 horizontal deflection 输出平台 1.根基 2.集电级 3.发射级 1 至-220

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