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资料编号:184463
 
资料名称:BUD616A
 
文件大小: 134.55K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
 
 


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BUD616A
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 1, 20–jan–99
2 (9)
文档 号码 86501
最大 热的 阻抗
T
情况
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 情况 R
thJC
5 k/w
电的 特性
T
情况
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ 最大值 单位
集电级 截-止 电流 V
CES
= 1000 v I
CES
50
m
一个
V
CES
= 1000 v; t
情况
= 125
°
C I
CES
0.5 毫安
集电级-发射级 损坏
电压 (图示 1)
I
C
= 300 毫安; l = 125 mh;
I
measure
= 100 毫安
V
(br)ceo
450 V
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 1 毫安 V
(br)ebo
12 V
集电级-发射级 饱和 I
C
= 0.25 一个; i
B
= 65 毫安 V
CEsat
0.2 V
电压
I
C
= 0.8 一个; i
B
= 250 毫安 V
CEsat
0.4 V
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 0.25 一个; i
B
= 65 毫安 V
BEsat
1 Vg
I
C
= 0.8 一个; i
B
= 250 毫安 V
BEsat
1.2 V
直流 向前 电流 转移 比率 V
CE
= 5 v; i
C
= 0.2 毫安 h
FE
17
V
CE
= 5 v; i
C
= 300 毫安 h
FE
25
V
CE
= 5 v; i
C
= 480 毫安 h
FE
12
V
CE
= 5 v; i
C
= 1.6 一个 h
FE
4
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