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资料编号:184463
 
资料名称:BUD616A
 
文件大小: 134.55K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUD616A
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 1, 20–jan–99
3 (9)
文档 号码 86501
切换 特性
T
情况
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ 最大值 单位
resistive 加载 (图示 2)
转变 在 时间 I
C
= 250 毫安; i
B1
= 65 毫安; t
0.2
m
s
存储 时间
C B1
–I
B2
= 130 毫安; v
S
= 250 v
t
s
5
m
s
下降 时间 t
f
0.4
m
s
转变 在 时间 I
C
= 0.8 一个; i
B1
= 160 毫安; t
1
m
s
存储 时间
C B1
–I
B2
= 0.4 一个; v
S
= 250 v
t
s
2.5
m
s
下降 时间 t
f
0.2
m
s
inductive 加载 (图示 3)
存储 时间 I
C
= 250 毫安; i
B1
= 65 毫安;
I 130 毫安; V 300 v;
t
s
5
m
s
下降 时间
–I
B2
=130m一个; v
clamp
=300v;
l = 200
m
H
t
f
0.3
m
s
存储 时间 I
C
= 0.8 一个; i
B1
= 160 毫安;
I 0 4 一个; V 300 v;
t
s
2.5
m
s
下降 时间
–I
B2
=0.4 一个; v
clamp
=300v;
l = 200
m
H
t
f
0.15
m
s
+
3 脉冲
94 8863
t
p
T
+
0.1
t
p
+
10 ms
V
S2
+
10 V
I
B
w
I
C
5
I
C
L
C
V
S1
+
V
(br)ceo
I
(br)r
100 m
W
I
C
V
CE
V
(br)ceo
I
measure
0to30V
图示 1. 测试 电路 为 v
(br)ce0
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