半导体 组
2 dec-02-1996
bup 307d
最大 比率
参数 标识 值 单位
din 湿度 类别, din 40 040 - E -
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56
热的 阻抗
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
≤
0.42 k/w
二极管 热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
D
≤
1.25
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
门 门槛 电压
V
GE
=
V
ce,
I
C
= 0.35 毫安,
T
j
= 25 °c
V
ge(th)
4.5 5.5 6.5
V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15 v,
I
C
= 25 一个,
T
j
= 25 °c
V
GE
= 15 v,
I
C
= 25 一个,
T
j
= 125 °c
V
GE
= 15 v,
I
C
= 42 一个,
T
j
= 25 °c
V
GE
= 15 v,
I
C
= 42 一个,
T
j
= 125 °c
V
ce(sat)
-
-
-
-
4.3
3.4
3.3
2.7
-
-
3.9
3.2
零 门 电压 集电级 电流
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
CES
- - 0.5
毫安
门-发射级 泄漏 电流
V
GE
= 25 v,
V
CE
= 0 v
I
GES
- - 100
nA
交流 特性
跨导
V
CE
= 20 v,
I
C
= 15 一个
g
fs
5.5 8 -
S
输入 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 2000 2700
pF
输出 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 160 240
反转 转移 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 65 100
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