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资料编号:185557
 
资料名称:BUZ100SL-4
 
文件大小: 89.59K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
2 01/oct/1997
buz 100sl-4
初步的 数据
热的 特性
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
热的 阻抗, 接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
- - tbd k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的
2)
R
thJA
- - 62.5
1) 设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6 cm
2
(一个 layer,70µm 厚) 铜 范围 为
流 连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
2) 一个 频道 起作用的
电的 特性,
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
55 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 130 µa
V
gs(th)
1.2 1.6 2
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 55 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= -40 °c
V
DS
= 55 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 55 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 150 °c
I
DSS
-
-
-
-
0.1
-
100
1
0.1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-阻抗
V
GS
= 5 v,
I
D
= 7.4 一个
R
ds(在)
- 0.019 0.023
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