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资料编号:185582
资料名称:
BUZ102SL
文件大小: 120.78K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
: 点此下载
1
2
3
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6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
30/jan/1998
buz 102 sl
SPP47N05L
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 33 一个
g
fs
10
-
-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
1380
1730
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
410
515
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
230
290
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 47 一个
R
G
= 3.6
Ω
t
d(在)
-
15
25
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 47 一个
R
G
= 3.6
Ω
t
r
-
30
45
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 47 一个
R
G
= 3.6
Ω
t
d(止)
-
30
45
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 47 一个
R
G
= 3.6
Ω
t
f
-
20
30
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v,
I
D
= 0.1 一个,
V
GS
=0 至 1 v
Q
g(th)
-
2
3
nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 47 一个,
V
GS
=0 至 5 v
Q
g(5)
-
35
55
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 47 一个,
V
GS
=0 至 10 v
Q
g(总的)
-
60
90
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 47 一个
V
(plateau)
-
4.1
-
V
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